[发明专利]半导体存储装置

说明书

一实施方式的半导体存储装置具有：包括电阻性存储元件的存储单元、以及写入驱动器。上述写入驱动器在使上述电阻性存储元件从第1电阻值成为比上述第1电阻值小的第2电阻值的第1写入工作中，向上述存储单元供给第1电压。上述写入驱动器在使上述电阻性存储元件从上述第2电阻值成为上述第1电阻值的第2写入工作中，向上述存储单元供给与上述第1电压不同的第2电压。

关联申请

本申请享受以美国临时专利申请62/394,161号(申请日：2016年9月13日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术

作为包含于存储系统的存储装置，已知有具有电阻性存储元件的半导体存储装置。

作为具有电阻性存储元件的半导体存储装置，已知有MRAM(MagnetoresistiveRandom Access Memory，磁致电阻式随机存储器)、ReRAM(Resistive Random AccessMemory，电阻式随机存储器)、PCRAM(Phase–Change Random Access Memory，相变随机存储器)等。

发明内容

本发明的实施方式提供可靠性高的半导体存储装置。

实施方式的半导体存储装置具有：包括电阻性存储元件的存储单元、以及写入驱动器。上述写入驱动器在使上述电阻性存储元件从第1电阻值成为比上述第1电阻值小的第2电阻值的第1写入工作中，向上述存储单元供给第1电压。上述写入驱动器在使上述电阻性存储元件从上述第2电阻值成为上述第1电阻值的第2写入工作中，向上述存储单元供给与上述第1电压不同的第2电压。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的构成的框图。

图2是用于说明第1实施方式的半导体存储装置的存储单元的构成的示意图。

图3是表示第1实施方式的半导体存储装置的写入驱动器、灌电流器(currentsink，电流灌入器、电流吸收器)以及存储单元阵列的连接的电路图。

图4是用于说明第1实施方式的半导体存储装置的数据“1”写入时的电流路径的电阻值的温度特性的图表。

图5是用于说明第1实施方式的半导体存储装置的数据“0”写入时的电流路径的电阻值的温度特性的图表。

图6是用于说明第1实施方式的半导体存储装置的数据“1”写入时的电压的温度特性的图表。

图7是用于说明第1实施方式的半导体存储装置的数据“0”写入时的电压的温度特性的图表。

图8是表示第1实施方式的半导体存储装置的控制部的电压生成电路的构成的电路图。

图9是表示在第1实施方式的半导体存储装置的电压生成电路中生成的电压的关系的图表。

图10是表示第1实施方式的半导体存储装置的控制部的信号生成电路的构成的电路图。

图11是表示第1实施方式的半导体存储装置的写入工作的流程图。

图12是表示第1实施方式的半导体存储装置的数据“0”写入时的写入工作的时序图。

图13是用于说明第1实施方式的半导体存储装置的数据“0”写入时的写入工作的示意图。

图14是表示第1实施方式的半导体存储装置的数据“1”写入时的写入工作的时序图。

图15是用于说明第1实施方式的半导体存储装置的数据“1”写入时的写入工作的示意图。