[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201710028465.1 | 申请日: | 2017-01-13 |
公开(公告)号: | CN107818807B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 松冈史宜 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 徐健;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,具备:
第1存储单元,其包括第1可变电阻元件,配置在沿第1方向延伸的第1布线和沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸的第2布线之间,能够存储第1数据或者第2数据;
所述第1布线和所述第2布线,所述第1布线连接于所述第1存储单元的一端,所述第2布线连接于所述第1存储单元的另一端;
第1驱动电路,其能够对所述第1布线和所述第2布线的一方施加第1电压,并且能够对所述第1布线和所述第2布线中的另一方施加与所述第1电压不同的第2电压;以及
第1控制电路,其将控制所述第1数据的写入的第1信号和控制所述第2数据的写入的第2信号发送给所述第1驱动电路,
所述第1驱动电路基于所述第1数据和所述第1信号,对所述第1布线施加所述第1电压,对所述第2布线施加所述第2电压,基于所述第2数据和所述第2信号,对所述第2布线施加所述第1电压,对所述第1布线施加所述第2电压,来切换施加电压的极性。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,还具有:
第2存储单元,其包括第2可变电阻元件,配置在沿所述第1方向延伸的第3布线和沿与所述第1方向交叉的所述第2方向延伸的第4布线之间,能够存储所述第1数据或者所述第2数据;
所述第3布线和所述第4布线,所述第3布线连接于所述第2存储单元的一端,所述第4布线连接于所述第2存储单元的另一端;以及
第2驱动电路,其能够对所述第3布线和所述第4布线的一方施加所述第1电压,并且能够对所述第3布线和所述第4布线中的另一方施加所述第2电压,
所述第1控制电路将所述第1信号和所述第2信号发送给所述第1驱动电路和所述第2驱动电路,
在向所述第1可变电阻元件写入所述第1数据、向所述第2可变电阻元件写入所述第2数据的情况下,基于分别施加于所述第1布线和所述第2布线的所述第1电压和所述第2电压来向所述第1电阻元件供给第1电流的第1期间、与基于分别施加于所述第3布线和所述第4布线的所述第2电压和所述第1电压来向所述第2电阻元件供给第2电流的第2期间至少一部分重叠,所述第1期间的长度与所述第2期间的长度不同。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置,还具有:
第3布线和第4布线,其连接于所述第1驱动电路;
第1电路,其包括连接所述第1布线与所述第3布线的第1开关元件;以及
第2电路,其包括连接所述第2布线与所述第4布线的第2开关元件。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
所述第1驱动电路具有:向所述第1布线传输所述第1电压的第1开关元件;向所述第2布线传输所述第2电压的第2开关元件;向所述第1布线传输所述第2电压的第3开关元件;以及向所述第2布线传输所述第1电压的第4开关元件,
所述第1驱动电路基于所述第1数据和所述第1信号,使所述第1开关元件和所述第2开关元件成为导通状态,使所述第3开关元件和所述第4开关元件成为截止状态,基于所述第2数据和所述第2信号,使所述第1开关元件和所述第2开关元件成为截止状态,使所述第3开关元件和所述第4开关元件成为导通状态。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
还具有数据缓冲器,该数据缓冲器保持1比特的数据,向所述第1驱动电路传输所述1比特的数据。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置,还具有:
第1开关元件,其包含于所述第1存储单元;以及
第1解码电路,其对地址信号进行解码,基于所述地址信号的解码结果,使所述第1开关元件成为导通状态,
所述第1可变电阻元件的一端连接于所述第1布线,所述第1可变电阻元件的另一端经由所述第1开关元件连接于所述第2布线。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置,
还具有第1解码电路,该第1解码电路对地址信号进行解码,基于所述地址信号的解码结果,控制所述第1控制电路。
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