[发明专利]电子灭弧反馈装置及灭弧装置有效
申请号: | 201710029090.0 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN106847581B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 郭桥石 | 申请(专利权)人: | 广州市金矢电子有限公司 |
主分类号: | H01H9/30 | 分类号: | H01H9/30;H01H9/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 511447 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 反馈 装置 | ||
1.一种电子灭弧反馈装置,其特征是:其包括一电压检测开关、第一光电耦合器、一整流器件、一电容,所述电压检测开关与用于灭弧的功率器件连接,检测所需灭弧的机械开关断开,工作电源通过所述整流器件为所述电容充电,所述电容通过所述第一光电耦合器的控制端、所述电压检测开关形成放电回路,所述第一光电耦合器输出检测信号,所述电压检测开关为半控型开关或阈值小于所述功率器件通态电压的全控型开关。
2.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述电压检测开关在检测到所述功率器件的两端存在电位差时导通。
3.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:还包括第一限流元件、一稳压器件,所述第一限流元件与所述整流器件串联,所述稳压器件与所述电容并联或所述稳压器件通过所述整流器件与所述电容并联。
4.根据权利要求3所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述第一限流元件为一电阻,所述整流器件为一二极管,所述稳压器件为一稳压二极管。
5.根据权利要求3所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述工作电源由中性线或相对于所述功率器件的另一相线提供。
6.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述工作电源由一变压器输出绕组提供。
7.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述功率器件为单向晶闸管或双向晶闸管。
8.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述电压检测开关包括第二限流元件、半导体器件。
9.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述电压检测开关串联在所述功率器件的驱动回路中,所述电容为所述功率器件提供驱动能量。
10.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述电压检测开关包括第二限流元件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管,所述第二晶体管的基极通过所述第二限流元件与所述功率器件主回路端连接,所述第二晶体管的发射极与所述第三晶体管的基极连接,所述第二晶体管的基极与所述第三晶体管的发射极连接,所述第三晶体管的集电极与所述第四晶体管的基极连接,所述第二晶体管的集电极、所述第四晶体管的发射极与所述第一晶体管的基极连接,所述第四晶体管的集电极与所述第二晶体管的发射极连接,所述第一晶体管的集电极与所述第二晶体管的基极连接,所述第一晶体管的发射极、所述第二晶体管的发射极串联在所述放电回路中。
11.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述电压检测开关包括第二限流元件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管,所述第二晶体管的基极通过所述第二限流元件与所述功率器件主回路端连接,所述第二晶体管的发射极与所述第三晶体管的基极连接,所述第二晶体管的基极与所述第三晶体管的发射极连接,所述第三晶体管的集电极与所述第四晶体管的基极连接,所述第二晶体管的集电极、所述第四晶体管的发射极与所述第一晶体管的基极连接,所述第四晶体管的集电极与所述第二晶体管的发射极连接,所述第一晶体管的发射极、所述第一晶体管的集电极串联在所述放电回路中。
12.根据权利要求11所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述电压检测开关还包括第五晶体管,所述第五晶体管的集电极与所述第一晶体管的基极连接,所述第五晶体管的基极与所述第一晶体管的集电极连接,所述第一晶体管的发射极、所述第五晶体管的发射极串联在所述放电回路中。
13.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述电压检测开关至少包括一晶闸管,或一晶闸管等效电路。
14.根据权利要求1所述的电子灭弧反馈装置,其特征是:所述半控型开关的阈值小于所述功率器件通态电压。
15.一种灭弧装置,其特征是:其包括根据权利要求1至14中任一权利要求所述的电子灭弧反馈装置,还包括控制单元、所述功率器件、第二光电耦合器,所述控制单元通过所述第二光电耦合器与所述功率器件的驱动回路连接,所述第一光电耦合器输出信号传递至所述控制单元,所述控制单元根据所述第一光电耦合器输出信号关闭所述功率器件的导通控制信号。
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