[发明专利]电子灭弧反馈装置及灭弧装置

说明书

技术领域

本发明电子灭弧反馈装置及灭弧装置属于电学领域,特别是一种适合应用于接触器、继电器、断路器及其它机械开关的电子灭弧装置中使用的电子灭弧反馈装置及一种功率器件导通时间短的灭弧装置。

背景技术

目前在电气控制系统中,广泛使用接触器、继电器等机械开关对负载进行接通分断控制，但由于普通灭弧用途的灭弧栅，需要电弧拉长到一定长度，才能起作用，存在灭弧效果差、分断负载时电弧大、导致触点容易烧损的缺点。

为此,出现了用于机械开关灭弧的电子灭弧装置，如专利号为CN01201907.0，名称为“电子灭弧器”；专利号为CN200910306608.6，名称为“基于光耦的混合式交流接触器无源开关驱动控制器”，两个专利所揭示的，采用晶闸管（功率器件）与接触器机械开关并联的方式，供电电源与接触器的控制线圈连接，接触器机械开关分断前,提供一个控制晶闸管导通的驱动信号，在接触器的控制线圈失电，机械开关分离时，晶闸管导通，通过供电电路的滤波电容放电延时，延时关断晶闸管导通的驱动信号, 晶闸管截止，完成无电弧分断过程。

由于从接触器的控制线圈失电到机械开关分断，有一段不确定延时时间，为确保机械开关分断之后晶闸管才关断以保证可靠灭弧，晶闸管需要较长导通时间（一般在几十毫秒以上），这种采用机械开关分断后延时关闭控制信号的控制方式灭弧，势必会增加晶闸管不必要多余的导通工作时间，晶闸管的导通工作时间长，导致整个灭弧装置的过载能力差、可靠性低。

发明内容

本发明的目的在于克服现有电子灭弧装置的不足之处而提供一种能方便在电子灭弧装置中使用、电路简单、性价比高的电子灭弧反馈装置，及提供一种具有功率器件导通时间短、过载力强的灭弧装置。

实现本发明的目的是通过以下技术方案来达到的：

一种电子灭弧反馈装置，其包括一电压检测开关、第一光电耦合器、一整流器件、一电容，所述电压检测开关与用于灭弧的功率器件连接，检测所需灭弧的机械开关断开，工作电源通过所述整流器件为电容充电，电容通过第一光电耦合器的控制端、电压检测开关形成放电回路，第一光电耦合器输出检测信号，电压检测开关为半控型开关或阈值小于功率器件通态电压的全控型开关。

一种电子灭弧反馈装置，电压检测开关在检测到功率器件的两端存在电位差时导通。

一种电子灭弧反馈装置，还包括第一限流元件、一稳压器件，第一限流元件与整流器件串联，稳压器件与电容并联或稳压器件通过整流器件与电容并联。

一种电子灭弧反馈装置，第一限流元件为一电阻，整流器件为一二极管，稳压器件为一稳压二极管。

一种电子灭弧反馈装置，工作电源由中性线或相对于功率器件的另一相线提供。

一种电子灭弧反馈装置，工作电源由一变压器输出绕组提供。

一种电子灭弧反馈装置，功率器件为单向晶闸管或双向晶闸管。

一种电子灭弧反馈装置，电压检测开关包括第二限流元件、半导体器件。

一种电子灭弧反馈装置，电压检测开关串联在功率器件的驱动回路中，电容为功率器件提供驱动能量。

一种电子灭弧反馈装置，电压检测开关包括第二限流元件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管，第二晶体管的基极通过第二限流元件与功率器件主回路端连接，第二晶体管的发射极与第三晶体管的基极连接，第二晶体管的基极与第三晶体管的发射极连接，第三晶体管的集电极与第四晶体管的基极连接，第二晶体管的集电极、第四晶体管的发射极与第一晶体管的基极连接，第四晶体管的集电极与第二晶体管的发射极连接，第一晶体管的集电极与第二晶体管的基极连接，第一晶体管的发射极、第二晶体管的发射极串联在放电回路中。

一种电子灭弧反馈装置，电压检测开关包括第二限流元件、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管，第二晶体管的基极通过第二限流元件与功率器件主回路端连接，第二晶体管的发射极与第三晶体管的基极连接，第二晶体管的基极与第三晶体管的发射极连接，第三晶体管的集电极与第四晶体管的基极连接，第二晶体管的集电极、第四晶体管的发射极与第一晶体管的基极连接，第四晶体管的集电极与第二晶体管的发射极连接，第一晶体管的发射极、第一晶体管的集电极串联在放电回路中。

一种电子灭弧反馈装置，电压检测开关还包括第五晶体管，第五晶体管的集电极与第一晶体管的基极连接，第五晶体管的基极与第一晶体管的集电极连接，第一晶体管的发射极、第五晶体管的发射极串联在放电回路中。

一种电子灭弧反馈装置，电压检测开关至少包括一晶闸管，或一晶闸管等效电路。