[发明专利]垂直存储器件及其制造方法有效
申请号: | 201710032615.6 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN107017263B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 尹石重;李俊熙;曹盛纯 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种垂直存储器件,其包括:
多个字线,其在基本垂直于衬底的顶表面的第一方向上彼此间隔开,所述字线的每个在基本平行于所述衬底的所述顶表面的第二方向上延伸并且在基本垂直于所述第二方向的第三方向上具有第一宽度;
虚设字线,其在所述字线的最上字线上方,所述虚设字线的边缘部分包括开口,并且所述虚设字线的一部分在所述第三方向上具有所述第一宽度;
第一串选择线和第二串选择线,其在所述虚设字线上方,所述第一串选择线和所述第二串选择线在所述第一方向上在基本相同级处,并且所述第一串选择线和所述第二串选择线的每个在所述第三方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度并且沿着所述第二方向延伸到第一位置;以及
多个垂直沟道结构,所述垂直沟道结构的每个在所述第一方向上穿过所述第一串选择线和所述第二串选择线中的一个、所述字线以及所述虚设字线延伸,
其中所述虚设字线沿着所述第二方向延伸到比所述第一位置更远的第二位置,并且所述虚设字线的所述开口与所述第一位置对准。
2.如权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述开口在所述第二方向上延伸。
3.如权利要求2所述的垂直存储器件,其中所述开口在所述第二方向上包括第一端和第二端,以及其中在所述第一方向上所述第一端与所述第一串选择线和所述第二串选择线的每个的端部对准,并且所述第二端在所述第一串选择线和所述第二串选择线的每个的所述端部和所述虚设字线的端部之间。
4.如权利要求3所述的垂直存储器件,还包括在所述第一串选择线和所述第二串选择线之间在所述第二方向上延伸的切割区域,并且所述开口与所述切割区域部分交叠。
5.如权利要求4所述的垂直存储器件,其中所述第一串选择线的所述第二宽度、所述第二串选择线的所述第二宽度和所述切割区域的在所述第三方向上的宽度的总和与所述第一宽度基本相同。
6.如权利要求1所述的垂直存储器件,还包括分别在所述第一串选择线和所述第二串选择线上方的第三串选择线和第四串选择线,其中所述第三串选择线和所述第四串选择线的每个在所述第三方向上具有所述第二宽度。
7.如权利要求6所述的垂直存储器件,还包括在所述第一串选择线和所述第二串选择线之间以及在所述第三串选择线和所述第四串选择线之间的切割区域。
8.如权利要求1所述的垂直存储器件,其中所述虚设字线包括在所述第一方向上堆叠的多个虚设字线,其中所述虚设字线的至少一个包括所述开口。
9.如权利要求8所述的垂直存储器件,其中在所述第一串选择线和所述第二串选择线下方的所述虚设字线的至少一个包括所述开口。
10.如权利要求8所述的垂直存储器件,还包括沿所述第一方向在各级处的多个串选择线。
11.如权利要求8所述的垂直存储器件,其中所述字线、所述虚设字线以及所述第一串选择线和所述第二串选择线的在所述第二方向上的边缘部分具有阶梯形状。
12.如权利要求1所述的垂直存储器件,还包括接触插塞,其在所述虚设字线的在所述第二方向上的边缘部分上并且在所述字线以及所述第一串选择线和所述第二串选择线的边缘部分上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的