[发明专利]具有半导体元件的集成电路结构及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

基板，具有相对的一顶表面(top surface)和一底表面(bottom surface)，且该基板具有多个区域；

多个半导体元件形成于该基板，且分别位于不同的该些区域内，和；

超深沟槽隔离结构(an ultra-deep(UD)trench isolation structure)，形成于该基板内且围绕各个该些区域的周围，以隔离位于该些区域中不同区域的该些半导体元件；

其中该超深沟槽隔离结构自该基板的该顶表面延伸至该底表面而穿过该基板。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该超深沟槽隔离结构的一深度实质上等于该基板的一厚度。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该超深沟槽隔离结构包括含有氮化物、氧化物或两者的一绝缘材料。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该些区域包括高压区域(high-sideregion)和低压区域(low-side region)以该超深沟槽隔离结构相隔开来，且该高压区域和该低压区域的周围被该超深沟槽隔离结构包围。

5.如权利要求4所述的集成电路结构，其中该些区域还包括第一区域(first region)邻近于该高压区域且与该高压区域电连接，且该第一区域的周围被该超深沟槽隔离结构包围。

6.如权利要求5所述的集成电路结构，其中该第一区域中形成有一高压垂直式侧向扩散型金属氧化物半导体(high voltage-vertical double-diffused metal oxidesemiconductor，HV-VDMOS)晶体管。

7.如权利要求4所述的集成电路结构，其中该些区域还包括第二区域(second region)邻近于该低压区域且与该低压区域电连接，且该第二区域的周围被该超深沟槽隔离结构包围。

8.如权利要求7所述的集成电路结构，其中该第二区域中形成有一低压垂直式侧向扩散型金属氧化物半导体晶体管。

9.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该些区域还包括第一区域，邻近于该高压区域且与该高压区域电连接，和第二区域，邻近于该低压区域且与该低压区域电连接，其中该第一区域和该第二区域至少一者包括一垂直式侧向扩散型金属氧化物半导体晶体管，其一源极区(source region)和一漏极区(drain region)分别位于该基板的该顶表面和该底表面处。

10.如权利要求9所述的集成电路结构，其中该垂直式侧向扩散型金属氧化物半导体晶体管具有平面式结构(a planar structure)，且该垂直式侧向扩散型金属氧化物半导体晶体管包括一栅极氧化物位于该基板的该顶表面，一栅极位于该栅极氧化物上，以及从邻近该栅极的该源极区边缘扩散的一水平通道(horizontal channel)。

11.如权利要求9所述的集成电路结构，其中该垂直式侧向扩散型金属氧化物半导体晶体管具有沟槽式栅极结构(a trench-gate structure)，且该垂直式侧向扩散型金属氧化物半导体晶体管包括栅极结构自该基板的该顶表面向下延伸，且该栅极结构包括位于一垂直沟槽(vertical trench)的一栅极，和位于该垂直沟槽内且包围部分该栅极的一绝缘层，其中自邻近该栅极的该源极区边缘扩散而形成一垂直通道(vertical channel)。

12.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该超深沟槽隔离结构的一深度至少60μm或更深。

13.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该超深沟槽隔离结构的一宽度至少1μm或更大。