[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底，其包括彼此相邻的单元阵列区和连接区；

多个沟道柱，其在所述单元阵列区中在与所述衬底的上表面交叉的方向上延伸；

栅堆叠，其包括在所述衬底上的多个栅电极层并在所述单元阵列区中围绕所述沟道柱，所述栅电极层在所述连接区中延伸不同的长度从而形成阶梯式结构；

所述栅堆叠上的层间绝缘层；

多个沟槽，穿过所述栅堆叠和所述层间绝缘层，所述多个沟槽包括多个第一沟槽和至少一个第二沟槽；以及

隔离区，穿过所述多个栅电极层中的上面的栅电极层，

其中所述多个第一沟槽在平行于所述衬底的所述上表面的方向上延伸，且将所述栅堆叠和所述层间绝缘层划分成多个区域；以及

其中所述至少一个第二沟槽在所述连接区中在所述第一沟槽之间，

其中所述至少一个第二沟槽在平行于所述衬底的所述上表面的方向上延伸，以及

其中所述多个沟槽与所述隔离区间隔开。

2.如权利要求1所述的存储器件，其中所述至少一个第二沟槽在所述连接区中但不在所述单元阵列区中。

3.如权利要求1所述的存储器件，其中所述至少一个第二沟槽具有基本上直线的形状。

4.如权利要求1所述的存储器件，其中所述至少一个第二沟槽每个具有彼此隔开的多个区域。

5.如权利要求1所述的存储器件，其中

所述至少一个第二沟槽包括彼此平行的多个第二沟槽。

6.如权利要求5所述的存储器件，其中所述第二沟槽被对称地布置在所述栅堆叠的所述多个区域内部。

7.如权利要求1所述的存储器件，还包括：

设置在所述多个沟槽中的每个内的导电材料层。

8.如权利要求7所述的存储器件，还包括：

绝缘层，其将所述导电材料层与所述栅堆叠电隔离。

9.如权利要求7所述的存储器件，

其中所述第一沟槽中的所述导电材料层是公共源线，

其中所述至少一个第二沟槽中的所述导电材料层是虚设源线，以及

其中所述虚设源线的高度大于所述栅堆叠的厚度。

10.如权利要求1所述的存储器件，其中所述栅电极层的在由所述第一沟槽划分的所述栅堆叠的各个区域中的部分在所述单元阵列区中被提供为单一区域，并且在所述连接区中被所述第二沟槽划分成多个区域。

11.如权利要求1所述的存储器件，还包括：

多个虚设柱，其在所述连接区中沿与所述衬底的上表面的方向交叉的方向延伸。

12.如权利要求1所述的存储器件，其中：

所述沟道柱包括栅电介质层，以及

所述栅电介质层包括电荷俘获层。

13.如权利要求1所述的存储器件，还包括：

多个接触插塞，其在所述连接区中被分别连接至所述栅电极层。

14.如权利要求13所述的存储器件，其中所述第二沟槽在所述接触插塞之间延伸。