[发明专利]存储器件

说明书

本公开涉及存储器件。一种存储器件，其包括衬底、多个沟道柱、栅堆叠、层间绝缘层、多个第一沟槽、以及至少一个第二沟槽。衬底包括单元阵列区和连接区。沟道柱在单元阵列区中与衬底的上表面交叉。栅堆叠包括围绕单元阵列区中的构道柱的多个栅电极层。栅电极层在连接区中延伸至不同长度从而形成阶梯式结构。层间绝缘层在栅堆叠上。第一沟槽将栅堆叠和层间绝缘层划分成多个区域。所述至少一个第二沟槽在连接区中的层间绝缘层内并且在第一沟槽之间。

技术领域

在此描述的一个或更多个实施方式涉及存储器件。

背景技术

提高存储器件的集成的努力一直在进行。一种具有提高的集成的存储器件是垂直型存储器件。在这种类型的存储器件中，具有垂直晶体管结构的存储单元按堆叠布局布置。

发明内容

根据一种或更多种实施方式，一种存储器件包括：衬底，其包括彼此相邻的单元阵列区和连接区；多个沟道柱，其在单元阵列区中在与衬底的上表面交叉的方向上延伸；栅堆叠，其包括衬底上的多个栅电极层并在单元阵列区中围绕沟道柱，所述栅电极层在连接区中延伸不同的长度从而形成阶梯式结构；层间绝缘层，其在栅堆叠上；多个第一沟槽，其将栅堆叠和层间绝缘层划分成多个区域；以及至少一个第二沟槽，其在连接区中的层间绝缘层中并且在第一沟槽之间。

根据一种或更多种另外的实施方式，一种存储器件包括：单元阵列区，其包括在交叉衬底的上表面的方向上延伸的多个沟道柱和与沟道柱相邻的堆叠在衬底上的多个栅电极层；以及连接区，其与单元阵列区相邻，且包括：连接至延伸不同长度的栅电极层的多个接触插塞，以及至少一个在接触插塞之间的虚设图案部分。

根据一种或更多种另外的实施方式，一种存储器件包括：多个沟道柱，其在与衬底的上表面交叉的方向上延伸；多个栅电极层，其堆叠在衬底上从而围绕沟道柱；多个接触插塞，其连接至栅电极层；多个第一沟槽，其与衬底的上表面交叉并将栅电极层划分成多个区域；以及第二沟槽，其在所述区域中的至少一个内并被布置在接触插塞之间。

根据一种或更多种另外的实施方式，一种存储器件包括：多个沟道柱；栅堆叠，其包括围绕沟道柱并且被布置成在邻近沟道柱的位置形成阶梯式结构的多个栅电极层；层间绝缘层，其在栅堆叠上；多个第一沟槽，其将栅堆叠和层间绝缘层划分成多个区域；以及至少一个第二沟槽，其在对应于阶梯式结构的层间绝缘层中且在第一沟槽之间，其中所述至少一个第二沟槽和第一沟槽具有不同长度。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征将变得对本领域技术人员明显。

图1示出存储器件的一实施方式；

图2示出存储单元阵列的一电路实施方式；

图3示出存储器件的一实施方式；

图4A至图4D示出图3中的存储器件的剖视图；

图5A和图5B示出栅电介质层的一实施方式；

图6示出层间绝缘层和栅堆叠的一实施方式；

图7至图9示出存储器件的另外的实施方式；

图10A至图10G示出用于制造存储器件的方法的一实施方式；

图11示出存储器件的另一实施方式；

图12A和图12B示出存储器件的另一实施方式；

图13示出存储器件的另一实施方式；

图14示出存储装置的一实施方式；

图15示出电子设备的一实施方式；以及

图16示出电子系统的一实施方式。

具体实施方式