[发明专利]静电放电钳位器件以及静电放电钳位电路

权利要求书

1.一种静电放电钳位器件，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上具有两个以上相隔离的第一阱；

在每一个所述第一阱中，包括一源极区、一漏极区和一体区，所述源极区和漏极区之间的第一阱上具有一栅极，所述源极区与栅极之间接入一电阻，所述漏极区与栅极之间接入一电容，所述源极区与体区短接；

在不同的所述第一阱之间，第一个所述第一阱中的源极区连接一第一电源线，最后一个所述第一阱中的漏极区连接一第二电源线，前一所述第一阱中的漏极区连接后一所述第一阱中的源极区；

其中，所述衬底、源极区和漏极区为第一导电类型，所述第一阱和体区为第二导电类型。

2.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一电源线的电压高于所述第二电源线的电压。

3.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述衬底上还具有第二阱，所述第二阱位于相邻的所述第一阱之间，所述第二阱为第一导电类型，所述第二阱与所述第一阱相隔离。

4.如权利要求3所述的静电放电钳位器件，其特征在于，每个所述第二阱中设置有一第一引出区，所有的所述第一引出区接第二电源线，所述第一引出区为第一导电类型。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述衬底上还具有至少两个第三阱，所述至少两个第三阱之间形成一限定区间，所有的所述第一阱位于所述限定区间内，所述第三阱为第一导电类型，所述第三阱与所述第一阱相隔离。

6.如权利要求5所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第三阱中设置有第二引出区，所述第二引出区接第二电源线，所述第二引出区为第一导电类型。

7.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

8.如权利要求1所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差大于等于10V。

9.如权利要求8所述的静电放电钳位器件，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差为20V、30V、40V或50V。

10.一种静电放电钳位电路，其特征在于，包括两个以上串联的晶体管；

在每个所述晶体管中，所述晶体管的源极与栅极之间接入一电阻，所述晶体管的漏极与栅极之间接入一电容，所述晶体管的源极与晶体管的衬底短接；

第一个所述晶体管的源极连接一第一电源线，最后一个所述晶体管的漏极连接一第二电源线，前一所述晶体管的漏极连接后一所述晶体管的源极。

11.如权利要求10所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述第一电源线的电压高于所述第二电源线的电压。

12.如权利要求10或11所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述晶体管为PMOS晶体管。

13.如权利要求10所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差大于等于10V。

14.如权利要求13所述的静电放电钳位电路，其特征在于，所述第一电源线和第二电源线之间的电压差为20V、30V、40V或50V。