[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201710038745.0 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106847926B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 张朝科;刘智;王兵;王辉;徐佳伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 滕一斌<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括衬底、设置在所述衬底上的栅极、设置在所述栅极上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的有源层、设置在所述有源层上的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上的绝缘保护层；
其特征在于，所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层；
所述源极、漏极和所述电极层之间形成多个电容，所述多个电容串联连接。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述无机绝缘层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述电极层为ITO层或金属层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘保护层包括3-6层无机绝缘层。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘保护层包括5层无机绝缘层。
6.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，每一层所述无机绝缘层的厚度为300-600nm。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，每一层所述无机绝缘层的厚度为400nm。
8.一种薄膜晶体管制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上制作栅极；
在所述栅极上制作栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制作有源层；
在所述有源层上制作源极和漏极；
在所述源极和漏极上制作绝缘保护层，所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层；
所述源极、漏极和所述电极层之间形成多个电容，所述多个电容串联连接。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的阵列基板。
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