[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置，属于显示器领域。所述薄膜晶体管包括衬底、设置在所述衬底上的栅极、设置在所述栅极上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的有源层、设置在所述有源层上的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上的绝缘保护层；所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层。该薄膜晶体管能有效降低源漏极和电极间的寄生电容，降低功耗；且该薄膜晶体管能够避免造成显示不均、污渍等问题，且成本低。

技术领域

本发明涉及显示器领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(英文Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)主要包括阵列基板、彩膜基板以及设置与阵列基板和彩膜基板间的液晶，阵列基板设置有多个TFT。TFT基本结构依次为衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏(英文Source/Drain，简称S/D)极、以及绝缘保护层。

阵列基板还包括设置在绝缘保护层上的多个电极，当电极与S/D极距离较近，且绝缘保护层为无机膜制成时，S/D极与电极间会产生较大的寄生电容；当S/D极与电极之间的寄生电容太大时，所需的驱动电压较大，不仅可能超出集成电路(英文IntegratedCircuit，简称IC)的驱动范围，造成无法驱动，而且还会导致功耗较大，并且较大的寄生电容会导致不同灰阶画面发生串扰(英文cross-talk)，导致显示不均。

目前，为了减小电极与S/D极间的寄生电容，应对的方法是采用有机膜(低介电常数、高厚度)代替无机膜(高介电常数、低厚度)制作绝缘保护层。然而，有机膜制作的绝缘保护层生产成本较高，且由于有机膜表面光滑，容易发生隔垫物(英文Photo Spacer，简称PS)滑动造成显示不均(英文PS Mura)、污渍等问题。

发明内容

为了解决现有技术采用无机膜层制成绝缘保护层时，寄生电容大；采用有机膜制作的绝缘保护层存在生产成本较高，容易发生显示不均、污渍等问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置。所述技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括衬底、设置在所述衬底上的栅极、设置在所述栅极上的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的有源层、设置在所述有源层上的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上的绝缘保护层；所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层。

在本发明实施例的一种实现方式中，所述无机绝缘层为氮化硅层、氧化硅层或氧化铝层。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述电极层为ITO层或金属层。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述绝缘保护层包括3-6层无机绝缘层。

在本发明实施例的另一种实现方式中，所述绝缘保护层包括5层无机绝缘层。

在本发明实施例的另一种实现方式中，每一层所述无机绝缘层的厚度为300-600nm。

在本发明实施例的另一种实现方式中，每一层所述无机绝缘层的厚度为400nm。

第二方面，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管制作方法，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上制作栅极；在所述栅极上制作栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作有源层；在所述有源层上制作源极和漏极；在所述源极和漏极上制作绝缘保护层，所述绝缘保护层包括至少2层间隔设置的无机绝缘层，任意相邻的两层无机绝缘层间设置有1层电极层。

第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括第一方面任一项所述的薄膜晶体管。

第四方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括第三方面所述的阵列基板。