[发明专利]制作凸点封装结构的方法及凸点封装结构有效
申请号: | 201710043626.4 | 申请日: | 2017-01-19 |
公开(公告)号: | CN106847783B | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 高国华 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 封装 结构 方法 | ||
本发明公开了一种制作凸点封装结构的方法及凸点封装结构,该方法包括:在基板上形成芯片有效区域层以及密封件,其中,芯片有效区域层包括裸露的金属端子窗口,密封件靠近芯片有效区域层而形成;在基板上的芯片有效区域层以及密封件上覆盖一层光敏有机材料;通过光罩对光敏有机材料进行曝光,进而进行显影,以形成光敏有机材料层,使得光敏有机材料层覆盖在除了裸露的金属端子窗口之外的其它芯片有效区域层上,其边缘延伸至密封件上端的一部分;在裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成凸点。通过上述方式,本发明能够既可以最大面积的保护芯片有效区域,又能起到强化密封件的保护作用,从而满足新的圆片工艺的要求,有效保护芯片的有效区域。
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域,特别是涉及一种制作凸点封装结构的方法及凸点封装结构。
背景技术
铜柱凸点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说,是因为除了移动产品用处理器和内存外,其他互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor,CMOS)也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽,并采取更好的散热措施。
一般的铜柱凸点封装的光敏有机材料在芯片上的边缘均在密封圈以内,因为一旦有机材料越过密封圈,会占用划片槽的位置,且易导致胶丝引起外观不良和可靠性问题。随着前道半导体工厂(Fab)的圆片工艺由28nm提升为16nm、14nm,甚至是10nm,芯片上的有效面积占整个芯片的面积比例越来越高,密封圈内都是芯片有效区域。
但是,现有技术中凸点封装的光敏有机材料不能满足新的圆片工艺的要求,无法有效保护芯片的有效区域。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种制作凸点封装结构的方法及凸点封装结构,能够既可以最大面积的保护芯片有效区域,又能起到强化密封件的保护作用,从而满足新的圆片工艺的要求,有效保护芯片的有效区域。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种制作凸点封装结构的方法,所述方法包括:在基板上形成芯片有效区域层以及密封件,其中,所述芯片有效区域层包括裸露的金属端子窗口,所述密封件靠近所述芯片有效区域层而形成,用于保护所述芯片有效区域层;在所述基板上的所述芯片有效区域层以及密封件上覆盖一层光敏有机材料;通过光罩对所述光敏有机材料进行曝光,进而进行显影,以形成光敏有机材料层,使得所述光敏有机材料层覆盖在除了所述裸露的金属端子窗口之外的其它所述芯片有效区域层上,其边缘延伸至所述密封件上端的一部分,以覆盖所述密封件上端的一部分;在所述裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成凸点。
其中,所述通过光罩对所述光敏有机材料进行曝光,进而进行显影,以形成光敏有机材料层的步骤之前,包括:预加热以将所述光敏有机材料中的溶剂蒸发掉,并冷却到室温。
其中,所述密封件为密封圈;所述密封圈包括第一密封圈和第二密封圈,所述第一密封圈靠近所述芯片有效区域层而形成,所述第二密封圈靠近所述第一密封圈而形成。
其中,所述光敏有机材料层的边缘延伸至所述第一密封圈上端的一部分,以覆盖所述第一密封件上端的一部分。
其中,所述光敏有机材料层的边缘延伸至所述第一密封圈上端的距离为2-5微米。
其中,所述在所述裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成凸点的步骤包括:在所述裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成铜柱;在所述铜柱上面形成焊锡。
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