[发明专利]硅麦克风印制板声孔结构及其加工方法在审

专利信息
申请号: 201710044789.4 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN106714070A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 马洪伟;姚志平;杨飞 申请(专利权)人: 江苏普诺威电子股份有限公司
主分类号: H04R31/00 分类号: H04R31/00
代理公司: 昆山四方专利事务所32212 代理人: 盛建德,张文婷
地址: 215300 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 麦克风 印制板 结构 及其 加工 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及印制板技术领域,具体的说是涉及一种硅麦克风印制板声孔结构及其加工方法。

背景技术

现有的硅麦克风印制板声孔为一半径较大的通孔结构,钻孔直径在0.150~0.400mm,并且采用机械钻孔方式获得,不仅对钻孔机的精度要求较高,而且由于声孔的孔径较大,声孔产生的气流比较集中,振动也较大,使得该硅麦克风印制板和国产芯片组装后,芯片膜片由于受力集中,易产生吹破的技术问题。

发明内容

为了克服上述缺陷,本发明提供了一种硅麦克风印制板声孔结构及其加工方法,用于解决现有硅麦克风印制板和国产芯片组装后芯片膜片易吹破的技术问题。

本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是:一种硅麦克风印制板声孔结构,包括其上设有声孔结构的硅麦克风印制板,该印制板包括位于中间的至少一个芯板、位于所述芯板的两外侧的外层铜层,以及位于所述芯板和外层铜层之间或相邻的两芯板之间的第一绝缘层,所述芯板由两内层铜层通过位于中间的第二绝缘层复合而成,所述印制板的至少一个侧面上加工有盲槽,该盲槽的底部镭射有多个微孔,多个该微孔分别和所述盲槽连通并贯穿所述印制板形成声孔结构。

作为本发明的进一步改进,所述盲槽为所述印制板的一侧面上的外层铜层、第一绝缘层和芯板加工后形成,所述印制板的相对的另一侧面上的外层铜层形成所述盲槽的底部,对应该盲槽底部的外层铜层上镭射有多个微孔,多个该微孔分别与所述盲槽连通形成声孔结构。

作为本发明的进一步改进,所述印制板相对的两个侧面上分别对应加工有盲槽,位于两盲槽之间的印制板的至少一层结构形成该盲槽的底部,该盲槽的底部上镭射有多个微孔分别与两所述盲槽连通形成声孔结构。

本发明还提供一种如上所述的硅麦克风印制板声孔结构的加工方法,包括以下步骤:

步骤1,准备硅麦克风印制板所需的至少一个芯板、两外层铜层和粘结层,其中,所述芯板由两内层铜层通过位于中间的第二绝缘层复合而成,并在该芯板的内层铜层上制作出需要的图形;

步骤2,将外层铜层、芯板和外层铜层依次层叠并分别通过粘结层粘接压合在一起,所述外层铜层和芯板之间的粘结层固化后形成第一绝缘层;

步骤3,层压后的印制板进行钻孔镀铜,然后在该印制板的至少一个侧面上加工出盲槽;

步骤4,将所述印制板的盲槽的底部镭射出多个微孔,多个该微孔和所述盲槽分别连通并贯穿所述印制板形成声孔结构;

步骤5,将所述印制板外层铜层上制作线路图形和后处理,获得带声孔结构的硅麦克风印制板。

作为本发明的进一步改进,所述步骤4中,将所述印制板的一侧面上的外层铜层、第一绝缘层和芯板蚀刻形成盲槽,所述印制板的相对的另一侧面上的外层铜层形成所述盲槽的底部,对应该盲槽底部的外层铜层上再镭射出多个微孔,多个该微孔分别与所述盲槽连通形成声孔结构。

作为本发明的进一步改进,所述步骤4中,将所述印制板相对的两个侧面上分别对应加工出盲槽,位于两盲槽之间的印制板的至少一层结构形成该盲槽的底部,再在该盲槽的底部上镭射出多个微孔分别与两所述盲槽连通形成声孔结构。

本发明的有益效果是:该硅麦克风印制板声孔结构及其加工方法通过先蚀刻窗口镭射阶梯盲槽,然后再在阶梯盲槽的底部镭射多个微孔,使多个微孔和阶梯盲槽叠加形成声孔结构,不仅解决了硅麦克风印制板和国产芯片组装后有芯片膜片易吹破裂问题,实现国产芯片的商用化,而且采用压合叠构控制盲槽深度,无需采用机械钻孔控制深度偏差,解决了现有技术存在的深度钻孔偏差较大的技术问题,同时,降低了生产成本,提高了生产效率。

附图说明

图1为本发明实施例1结构示意图;

图2为本发明实施例2结构示意图。

结合附图,作以下说明:

1——外层铜层 2——第一绝缘层

3——第二绝缘层 4——内层铜层

5——盲槽 6——微孔

具体实施方式

结合附图,对本发明作详细说明,但本发明的保护范围不限于下述实施例,即但凡以本发明申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本发明专利涵盖范围之内。

实施例1:

参见图1,为本发明所述的一种硅麦克风印制板声孔结构,包括其上设有声孔结构的硅麦克风印制板,该印制板包括位于中间的芯板、位于芯板的两外侧的外层铜层1,以及位于芯板和外层铜层之间的第一绝缘层2。芯板由两内层铜层4通过位于中间的第二绝缘层3复合而成。

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