[发明专利]一种集成肖特基二极管的SiCMOSFET器件在审
| 申请号： | 201710045695.9 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106784008A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 sicmosfet 器件 | ||
1.一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件有源区的原胞结构从下至上依次为漏极、衬底、缓冲层、漂移层、左右对称设置的两个p阱区、设置在所述p阱区上方相邻的n++区和p++区、从左至右依次对称设置的源极、栅极、肖特基金属、栅极和源极；其中，所述源极设置在所述n++区和p++区上方；所述栅极完全覆盖在所述p阱区的表面部分，且栅极两端分别与其两侧的n++区和JFET区重叠；所述肖特基金属设置在所述JFET区上方。
2.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述栅极与肖特基金属和源极通过层间介质隔离，肖特基金属与源极最后通过互联压块金属形成电连接。
3.根据权利要求2所述的集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述肖特基金属的两端部分金属在隔离介质上部，形成具有场板结构的肖特基二极管。
4.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述栅极包括栅介质及所述栅介质上方的多晶硅导电层；所述栅介质的厚度大于10nm，栅介质为SiO2或HfO2。
5.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件有源区中原胞的平面俯视图结构为条形、矩形或六角形。
6.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述衬底为高掺杂低电阻的n+层或者n++层，浓度大于1E18cm-3；所述漂移层的浓度在1E14-1E17cm-3之间，厚度大于5μm。
7.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述n++区浓度大于1E19cm-3，深度大于100nm；所述p++区的浓度大于1E19cm-3，深度大于100nm。
8.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述n++区与所述p阱区底部有一设定的间隔。
9.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述肖特基金属为Ti、Mo、Ni、Pt或TiW。
10.根据权利要求1所述的集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述p阱区的掺杂深度大于所述n++区。
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