[发明专利]一种硅表面金属化方法

权利要求书

1.一种硅表面金属化方法，其特征在于，具体包括：通过激光扫描，在硅基板表面完全覆盖上激光烧结的金属导电层。

2.根据权利要求1所述一种硅表面金属化方法，其特征在于，上述方法使用的激光为CO2激光，波长为10.6μm。

3.根据权利要求1所述一种硅表面金属化方法，其特征在于，所述金属导电层为均匀金属导电层。

4.根据权利要求1所述一种硅表面金属化方法，其特征在于，上述方法具体实施步骤为：

步骤一：根据硅基板尺寸，绘制出金属化形状；

步骤二：在硅基板表面的金属化形状内涂覆金属粉末，厚度在1-100微米之间，放到烘箱里进行干燥处理；

步骤三：将涂覆金属粉末层的硅基板放到激光工作台上，进行激光扫描，激光扫描烧结结束，硅表面全部金属化。

5.根据权利要求4所述一种硅表面金属化方法，其特征在于，上述还包括：

步骤四：金属化处理后的硅基板等待焊接，或者进行表面电路刻蚀。

6.根据权利要求1-5任一项所述一种硅表面金属化方法，其特征在于，所述硅基板包括单晶硅，多晶硅基板。

7.根据权利要求4所述一种硅表面金属化方法，其特征在于，所述的金属粉末包括铜粉，钼粉，银粉，钨粉，铬粉，钛粉，粒度在0.3-10μm之间。