[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

像素，所述像素包括：

第一有源区域和第二有源区域，在平面图中均形成在半导体衬底的第一主表面中并且被隔离区域包围；

光电二极管，形成在所述第一有源区域中；以及

传输晶体管，形成在所述第一有源区域中以传输由所述光电二极管产生的电荷，

其中，在所述半导体衬底中，p型半导体区域被形成以便在平面图中包括所述第一有源区域和所述第二有源区域，

其中，在所述第二有源区域中的所述p型半导体区域上方，用于提供接地电势的接触部分被形成并且被电耦合到所述p型半导体区域，

其中，所述光电二极管具有第一n型半导体区域，所述第一n型半导体区域形成在所述第一有源区域中的所述p型半导体区域中，

其中，所述传输晶体管具有第二n型半导体区域，第二n型半导体区域形成在所述第一有源区域中的所述p型半导体区域中，以用作所述传输晶体管的漏极区域，

其中，所述第一n型半导体区域还用作所述传输晶体管的源极区域，以及

其中，在所述第二n型半导体区域中引入吸附元素，而在所述第二有源区域中的所述p型半导体区域中没有引入所述吸附元素。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在所述第二有源区域中的所述p型半导体区域上方形成第一金属硅化物层，

其中，在所述第一金属硅化物层上方形成所述接触部分，以及

其中，所述接触部分经由所述第一金属硅化物层电耦合到所述p型半导体区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述吸附元素是碳。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中在平面图中，在所述第一n型半导体区域和所述第二n型半导体区域之间没有插入所述隔离区域。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述像素还包括：

第三有源区域，在平面图中形成在所述半导体衬底的所述第一主表面中并且被所述隔离区域包围；以及

像素晶体管，形成在所述第三有源区域中，

其中，所述p型半导体区域形成在所述半导体衬底中以在平面图中包括所述第一有源区域、所述第二有源区域和所述第三有源区域，

其中，所述像素晶体管具有第三n型半导体区域，所述第三n型半导体区域形成在所述第三有源区域中的所述p型半导体区域中，以用作所述像素晶体管的源极区域或漏极区域，以及

其中，在所述第三n型半导体区域中没有引入所述吸附元素。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，在所述第三n型半导体区域上方形成第二金属硅化物层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述像素还包括：

第三有源区域，在平面图中形成在所述半导体衬底的所述第一主表面中并且被所述隔离区域包围；以及

像素晶体管，形成在所述第三有源区域中，

其中，所述p型半导体区域形成在所述半导体衬底中以在平面图中包括所述第一有源区域、所述第二有源区域和所述第三有源区域，

其中，所述像素晶体管具有第三n型半导体区域，所述第三n型半导体区域形成在所述第三有源区域中的所述p型半导体区域中，以用作所述像素晶体管的源极区域或漏极区域，以及

其中，在所述第三n型半导体区域中也引入所述吸附元素。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中，在所述第三n型半导体区域上方形成第二金属硅化物层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在所述第一n型半导体区域中没有引入所述吸附元素。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在所述半导体衬底的所述第一主表面上方，多个像素被布置成阵列形式。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在所述半导体衬底的所述第一主表面上方形成层间绝缘膜，以及

其中，所述接触部分是嵌入在所述层间绝缘膜中的导电插塞。