[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

在此通过参考并入2016年1月22日提交的日本专利申请No.2016-010987的全部公开内容，包括说明书、附图和摘要。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，且适合应用于例如包括固态图像传感元件的半导体器件。

背景技术

作为固态图像传感元件，广泛研究了使用CMOS(互补金属氧化物半导体)的固态图像传感元件(CMOS图像传感器)。CMOS图像传感器包括多个像素，每个像素具有光电二极管和传输晶体管。

日本未审专利申请公开No.2014-7316描述了在CMOS图像传感器中吸附区域(gettering region)在有源区域中的布置，其中在有源区域中设置了施加接地电势的接触部分。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本未审专利申请公开No.2014-7316。

发明内容

已经出现了具有光电转换元件的半导体器件，理想的是这种半导体器件应该具有最大提升性能。

通过本发明的说明书和附图的描述，本发明的其他的目的和新颖特征将变得明显。

根据一个实施例，一种半导体器件包括像素，像素包括：在其中形成传输晶体管和光电二极管的第一有源区域和用于提供接地电势的第二有源区域。在第二有源区域中的p型半导体区域上方形成金属硅化物层，并且在金属硅化物层上方设置用于提供接地电势的接触部分。在用于第一有源区域中形成的传输晶体管的漏极区域的n型半导体区域中引入吸附元素。然而，在第二有源区域中的p型半导体区域中没有引入吸附元素。

备选地，根据该实施例，该半导体器件包括像素，像素包括：在其中形成传输晶体管和光电二极管的第一有源区域、用于提供接地电势的第二有源区域以及在其中形成像素晶体管的第三有源区域。在第二有源区域中的p型半导体区域上方形成金属硅化物层，并且在金属硅化物层上方设置用于提供接地电势的接触部分。在用于第三有源区域中形成的像素晶体管的源极区域或漏极区域的n型半导体区域中引入吸附元素。然而，在第二有源区域中的p型半导体区域中没有引入吸附元素。

根据实施例，可以提高半导体器件的性能。

附图说明

图1是示出实施例的半导体器件的配置的例子的电路框图；

图2是示出像素的配置的例子的电路图；

图3是示出像素的配置的另一个例子的电路图；

图4是示出实施例的半导体器件中的像素的平面图；

图5是示出实施例的半导体器件中的像素的平面图；

图6是示出实施例的半导体器件中的像素的平面图；

图7是示出在其中形成实施例的半导体器件的半导体晶片及其芯片区域的平面图；

图8是示出在实施例的半导体器件的外围电路区域中形成的晶体管的平面图；

图9是示出在实施例的半导体器件的像素区域中形成的多个像素的平面图；

图10是示出在实施例的半导体器件的像素区域中形成的多个像素的平面图；

图11是实施例的半导体器件的主要部分的横截面图；

图12是实施例的半导体器件的主要部分的横截面图；

图13是实施例的半导体器件的主要部分的横截面图；

图14是实施例的半导体器件的主要部分的横截面图；

图15是实施例的半导体器件的主要部分的横截面图；

图16是实施例的半导体器件的主要部分的横截面图；

图17是在制造工艺期间实施例的半导体器件的主要部分的横截面图；

图18是类似于图17的、在制造工艺期间半导体器件的主要部分的横截面图；

图19是类似于图17的、在制造工艺期间半导体器件的主要部分的横截面图；

图20是类似于图17的、在制造工艺期间半导体器件的主要部分的横截面图；

图21是类似于图20的、在制造工艺期间半导体器件的主要部分的横截面图；

图22是类似于图20的、在制造工艺期间半导体器件的主要部分的横截面图；

图23是在图20之后的、在制造工艺期间半导体器件的主要部分的横截面图；

图24是类似于图23的、在制造工艺期间半导体器件的主要部分的横截面图；

图25是类似于图23的、在制造工艺期间半导体器件的主要部分的横截面图；