[发明专利]阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层；

由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量；

根据得到的各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用该遮光罩加工出的阳极区域的中心与有机膜层膜厚均一区域的中心重合。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：该方法还包括：利用改进后的遮光罩制作具有新的阳极排布的阵列基板。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层的步骤包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管；

在薄膜晶体管上形成阳极；以及

在阳极上形成有机膜层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：在衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤包括：

在衬底基板上形成栅极金属层；

在栅极金属层上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；

在氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层；

在刻蚀阻挡层上形成源极和漏极；以及

在源极和漏极上形成钝化层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量时采用量取、计算或者量取与计算相结合的方式。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度的步骤包括：

利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域相对于阳极的偏移量的步骤包括：

利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域和阳极区域的中心坐标；

计算出有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标的差值。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：在计算出有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标的差值的步骤中计算出的差值指有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标在膜厚均一区域宽度方向的差值。