[发明专利]阵列基板的制造方法

说明书

一种阵列基板的制造方法，包括：利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层；由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量；根据得到的各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用该遮光罩加工出的阳极区域的中心与有机膜层膜厚均一区域的中心重合，从而避免了利用现有方法所造成的有机发光层的膜厚均一区域偏离阳极区域的问题。

技术领域

本发明涉及显示器的制造工艺，尤其涉及一种阵列基板的制造方法。

背景技术

阵列基板通常包括形成在基板上的栅线和数据线，以及由栅线和数据线限定的多个像素单元。每个像素单元划分为薄膜晶体管区域和发光区域。薄膜晶体管区域形成有至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管包括形成在基板之上的源漏电极层、有源层、栅绝缘层和栅极。在发光区域的基板上方形成有阳极，阳极连接源漏电极层的漏极，阳极上方依次形成有机发光层和阴极，阳极及阳极对应区域的有机发光层和阴极共同形成有机发光二极管。

在制造阵列基板时，阳极区通常设计为等间距排列，但是，在单个像素单元的内部，如图1所示，由于线源蒸镀角度α(线源蒸镀材料的蒸镀范围边界与水平线之间的夹角)和遮光罩锥角θ的影响，不同位置的喷嘴1喷出的蒸镀材料经过遮光罩2后到达阳极3的位置不同，使得不同位置的像素单元内膜厚均一区域a的宽度和位置发生变化(图中所示膜厚均一的区域即为各喷嘴1喷出的蒸镀材料到达阳极3时位置重叠的区域，各喷嘴1喷出的蒸镀材料到达阳极3时位置不重叠的区域因膜厚不均匀而形成分层)，导致部分位置的有机发光层的膜厚均一区域a偏离阳极区域，而有机发光层的膜厚均一区域a偏离阳极区域会造成显示器亮度的不均匀，即mura不良的问题，直接影响显示器的显示性能。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种阵列基板的制造方法，该阵列基板的制造方法可避免有机发光层的膜厚均一区域偏离阳极区域。

本发明提供的阵列基板的制造方法，包括如下步骤：利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层；由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量；根据得到的各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度和膜厚均一区域相对于阳极的偏移量，调整加工阳极的遮光罩上的开口位置及开口宽度，得到改进后的加工阳极膜层的遮光罩，使得利用该遮光罩加工出的阳极区域的中心与有机膜层膜厚均一区域的中心重合。

进一步地，该方法还包括：利用改进后的遮光罩制作具有新的阳极排布的阵列基板。

进一步地，利用现有的加工方法在一衬底基板上形成阳极和位于阳极上的有机膜层的步骤包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成阳极；以及在阳极上形成有机膜层。

进一步地，在衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤包括：在衬底基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成源极和漏极；以及在源极和漏极上形成钝化层。

进一步地，由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度及膜厚均一区域相对于阳极的偏移量时采用量取、计算或者量取与计算相结合的方式。

进一步地，由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域的宽度的步骤包括：利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域的宽度。

进一步地，由加工出的衬底基板上获取各像素单元内有机膜层的膜厚均一区域相对于阳极的偏移量的步骤包括：利用紫外光显微镜由加工好阳极和有机膜层的衬底基板上测量各个像素单元内有机膜层膜厚均一区域和阳极区域的中心坐标；计算出有机膜层膜厚均一区域的中心坐标和阳极区域的中心坐标的差值。