[发明专利]一种扩膜机及利用该扩膜机进行激光切割的工艺

权利要求书

1.一种扩膜机，其特征在于，包括：

工作平台，所述工作平台上具有能够相对所述工作平台升降的扩膜基座；

盖体，所述盖体相对所述扩膜基座开合设置，所述盖体包括盖本体和子盖体，所述盖本体具有相对所述扩膜基座开设的通孔，子盖体相对所述扩膜基座设置，且子盖体能穿过所述通孔与所述扩膜基座接触；

子环和母环，子环设于扩膜基座上，母环设于子盖体上，且子环和母环接触时能够卡合在一起。

2.根据权利要求1所述的一种扩膜机，其特征在于，所述扩膜基座连有加热机构和温度控制机构。

3.根据权利要求1或2所述的一种扩膜机，其特征在于，所述子盖体与所述盖本体之间沿周向设有若干导向柱，所述子盖体连有动力装置。

4.根据权利要求3所述的一种扩膜机，其特征在于，所述盖体铰接于工作平台，所述盖体还设有将盖体固于所述工作平台上的锁定机构。

5.根据权利要求1所述的一种扩膜机，其特征在于，所述扩膜基座、通孔基所述子盖体均为圆形。

6.利用权利要求1-5任一项所述扩膜机进行激光切割的工艺，其特征在于，包括步骤：

（1）在贴膜正面中部贴附至少一个中片，然后将第一晶圆环沿贴膜周缘贴于贴膜正面，形成片材组件；

（2）将片材组件放入激光切割机中，然后用激光束将中片切割成若干小片；

（3）取出片材组件，并将其放入扩膜机中扩膜。

7.根据权利要求5所述的一种激光切割的工艺，其特征在于，步骤（3）还包括步骤：

（3-1）在扩膜基座上放置子环，在子盖体上放置母环，然后将贴膜加热至50-150℃，恒温下置于扩膜基座上，贴膜正面朝上，且第一晶圆环置于工作平台上；

（3-2）合上盖体，盖本体压住第一晶圆环，上升扩膜基座，此时扩膜基座抵住其上部的贴膜，使贴膜扩展，最终带动小片与小片之间的距离扩大；

（3-3）下降子盖体，使子盖体上的母环与子环接触并卡合；

（3-4）打开盖体，取下带有子环和母环的片材组件，冷却。

8.根据权利要求7所述的一种激光切割的工艺，其特征在于，步骤（3-1）中贴膜加热温度为80-90℃。

9.根据权利要求6所述的一种激光切割的工艺，其特征在于，步骤（3）后还包括步骤（4）：

将片材组件置于转盘平台上，用第二晶圆环更换第一晶圆环，所述第二晶圆环尺寸小于第一晶圆环的尺寸。