[发明专利]一种扩膜机及利用该扩膜机进行激光切割的工艺在审
申请号: | 201710049521.X | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN106952845A | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 奂微微;陈浪 | 申请(专利权)人: | 苏州五方光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00;B23K26/38 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215222 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扩膜机 利用 进行 激光 切割 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及光电技术领域滤光片等元件的加工,具体涉及一种扩膜机及利用该扩膜机进行激光切割的工艺。
背景技术
传统的滤色片或滤光片等元件是采用DISCO安装钻石刀片切割,由于这些元件是脆性材料,极易破裂,接触式加工极易导致滤色片边缘破裂,交叉部分更为严重,导致滤色片崩边较多,有时还会造成隐性裂纹,从而导致成品的胶合力不稳定。而新型的激光切割属于非接触式加工,无应力,切边平直整齐,无损坏;不存在道具磨损问题,不会损伤滤色片结构;切割速度快,切割深度极易控制,可以在维持速度不变的条件下,加大输出功率来增加切割厚度;如何高效、高质量的完成切割仍是激光切割所面临的问题。
对切割后的产品进行扩膜时,现有的扩膜机结构复杂,容易破膜,扩张范围不能满足需求,且生产效率低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种扩膜机及利用该扩膜机进行激光切割的工艺。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
一种扩膜机,包括:
工作平台,所述工作平台上具有能够相对所述工作平台升降的扩膜基座;
盖体,所述盖体相对所述扩膜基座开合设置,所述盖体包括盖本体和子盖体,所述盖本体具有相对所述扩膜基座开设的通孔,子盖体相对所述扩膜基座设置,且子盖体能穿过所述通孔与所述扩膜基座接触;
子环和母环,子环设于扩膜基座上,母环设于子盖体上,且子环和母环接触时能够卡合在一起。
优选的,所述扩膜基座连有加热机构和温度控制机构。
优选的,所述子盖体与所述盖本体之间沿周向设有若干导向柱,所述子盖体连有动力装置。
优选的,所述盖体铰接于工作平台,所述盖体还设有将盖体固于所述工作平台上的锁定机构。
优选的,所述扩膜基座、通孔基所述子盖体均为圆形。
利用上述扩膜机进行激光切割的工艺,包括步骤:
(1)在贴膜正面中部贴附至少一个中片,然后将第一晶圆环沿贴膜周缘贴于贴膜正面,形成片材组件;进一步优选的,一片贴膜上贴有四个中片;
(2)将片材组件放入激光切割机中,然后用激光束将中片切割成若干小片;
(3)取出片材组件,并将其放入扩膜机中扩膜。
优选的,步骤(3)还包括步骤:
(3-1)在扩膜基座上放置子环,在子盖体上放置母环,然后将贴膜加热至50-150℃,恒温下置于扩膜基座上,贴膜正面朝上,且第一晶圆环置于工作平台上;
(3-2)合上盖体,盖本体压住第一晶圆环,上升扩膜基座,此时扩膜基座抵住其上部的贴膜,使贴膜扩展,最终带动小片与小片之间的距离扩大;
(3-3)下降子盖体,使子盖体上的母环与子环接触并卡合;
(3-4)打开盖体,取下带有子环和母环的片材组件,冷却。 冷却至室温,能够进一步保证膜的稳定性,避免膜回缩,保证小片之间的间隙,同时也能够避免切割后的小片在转移过程中遗落,保证甚至提高粘接力。
优选的,步骤(3-1)中贴膜加热温度为80-90℃。最有选的为85℃。
优选的,步骤(3)后还包括步骤(4):
将片材组件置于转盘平台上,用第二晶圆环更换第一晶圆环,所述第二晶圆环尺寸小于第一晶圆环的尺寸。
本发明所述“正面”是任意指定的贴膜一面,相背“正面”的即是“反面”。
本发明所达到的有益效果:
激光切割后,由于轻微的热效应影响,切割完毕后,小片不会自动分离,而是由极为微弱的附着力而黏连在一起。放置片材组件时,第一晶圆环是在工作平台上,而第一晶圆片里侧的贴膜置于扩膜基座上,盖体合上后,盖本体压住第一晶圆环,与第一圆晶环一同压住贴膜外缘,然后扩膜基座被向上抬起,抵住贴膜,使膜扩张的同时便能够均匀的扩张破裂的晶圆,使之达到所要的间隙;子环和母环能够避免膜的收缩,产生褶皱,保证扩膜效果。
扩膜机扩膜效率高,扩膜质量好,使用方便,结构简单。本发明的切割工艺步骤合理,现对现有技术而言,切割效率和切割质量均有所提高。
附图说明
图1是扩膜机的结构示意图;
图2是片材组件的结构示意图(切割后,扩膜前);
图3是片材组件的结构示意图(扩膜后);其中:
1. 第一晶圆环,2. 贴膜,3. 片材,4. 水平基座,5. 旋转台,6. 工作平台,7. 扩膜基座,8. 盖体,81. 盖本体,82. 子盖体,83.铰链,84. 导向柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造