[发明专利]肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为纳米级半导体结构。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体结构为P型半导体或N型半导体。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述纳米级半导体结构为一维半导体线性材料，其直径小于等于200纳米。

4.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述纳米级半导体结构为二维半导体薄膜，其厚度小于200纳米。

5.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体结构的材料为砷化镓、碳化硅、多晶硅、单晶硅、萘或硫化钼。

6.如权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体结构为二硫化钼薄膜，其厚度为1～2纳米。

7.一种肖特基二极管阵列，其包括：一绝缘基底及多个肖特基二极管单元，该多个肖特基二极管单元以阵列的形式排列设置在绝缘基底的表面，每个肖特基二极管单元之间相互间隔设置，所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

8.如权利要求7所述的肖特基二极管阵列，其特征在于，所述纳米级半导体结构为一维纳米结构或二维纳米结构。

9.一种肖特基二极管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一绝缘基底，在绝缘基底上形成第一电极；

在第一电极和绝缘基底上形成一半导体结构，半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，将半导体结构的第一端设置在第一电极的上表面，使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面；

在半导体结构的第二端的上表面形成第二电极，使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，其中，所述半导体结构为纳米级半导体结构。

10.如权利要求9所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述第一电极和第二电极通过光刻的方法形成。