[发明专利]肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法

说明书

一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

技术领域

本发明涉及一种肖特基二极管、一肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法。

背景技术

肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的一种二极管。肖特基二极管比PN结二极管具有更低的功耗、更大的电流以及超高速的优点，因此，在电子学器件中受到青睐。

对于低维纳米电子材料，和传统的硅材料不同，难以通过掺杂的办法制备二极管。目前的纳米半导体材料二极管主要通过化学掺杂或异质结的方法制备，其制备工艺复杂，一定程度上限定了二极管的应用。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种肖特基二极管，该肖特基二极管可以克服以上缺点。

一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

一种肖特基二极管阵列，其包括：一绝缘基底及多个肖特基二极管单元，该多个肖特基二极管单元以阵列的形式排列设置在绝缘基底的表面。每个肖特基二极管单元之间相互间隔设置，所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。

一种肖特基二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一绝缘基底，在绝缘基底上形成第一电极；在第一电极和绝缘基底上形成半导体结构，半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二段，将半导体结构的第一端设置在第一电极的上表面，第二端设置在绝缘基底的表面；在半导体结构的第二端的上表面形成第二电极。

与现有技术相比较，本发明提供了一种采用一维或者维的纳米材料作为半导体结构的肖特基二极管，无需通过掺杂等复杂工艺获得半导体材料，该肖特基二极管的结构简单，半导体材料易于制备且成本较低。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的肖特基二极管的侧视结构示意图。

图2为本发明实施例提供的肖特基二极管的侧视结构剖面示意图。

图3为本发明实施例提供的另一种情况下的肖特基二极管的侧视结构剖面示意图。

图4为本发明实施例提供的肖特基二极管阵列的侧视结构示意图。

图5为本发明实施例提供的肖特基二极管采用一维纳米结构作为半导体结构的肖特基二极管的俯视示意图。

图6为本发明实施例提供的肖特基二极管采用二维纳米结构作为半导体结构的肖特基二极管的俯视示意图。

图7为本发明实施例提供的碳纳米管水平阵列膜的扫面电镜照片。