[发明专利]一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用有效
申请号: | 201710055938.7 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN106654035B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 李晓常;龚小林 | 申请(专利权)人: | 江西冠能光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
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地址: | 337004*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机半导体 主体 材料 及其 有机 发光二极管 应用 | ||
1.一种有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管由如下部分组成:
(a)一个阴极,
(b)一个阳极,
(c)一个夹心于阴极和阳极之间的有机半导体发光层,该发光层包含一主体材料化合物和一发光材料掺杂剂化合物,其中的主体材料化合物具有如下结构通式:
(Ⅰ)
其特征在于所述的化合物中Y 为C 或N;
其特征在于所述的化合物中Ar1可选为H,D,F,一碳原子小于18的芳环,碳原子小于18的芳杂环,一碳原子小于18的稠合芳杂环;
其特征在于Ar2,Ar3可选为H,一碳原子小于18的芳环,一碳原子小于18的芳杂环,一碳原子小于18的稠合芳杂环。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管中发光层主体材料化合物中的Ar2,Ar3连接有至少1个交联基团的单元,所述的交联基团选自乙烯基、丙烯酸脂或三氟乙烯基。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管中发光层主体材料化合物具有如下结构式:
(II)或:(III)或:
(IV)或:(V)。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管中发光层主体材料化合物在加热温度大于160oC,形成不溶性交联网络结构:
(II-X)
或:
(III-X)
或:
(IV-X)
或:
(V-X)。
5.根据权利 要求1所述的有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管中发光层主体材料化合物具有如下结构式:
。
6.根据权利 要求2所述的有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管中发光层主体材料化合物具有如下结构式:
。
7.根据权利 要求1所述的有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管中发光层中的发光材料为一发光波长为510-550nm 的绿光材料。
8.根据权利 要求1所述的有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管中发光层中的发光材料为一发光波长为551-580nm 的黄光材料。
9.根据权利 要求1所述的有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管中发光层中的发光材料为一发光波长为581-630nm 的红光材料。
10.根据权利 要求1所述的有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管中发光层中含有一增加电子或空穴注入能力的辅助主体材料,辅助主体材料是供电性材料DBPP或是电负性材料MCBP:
DBPP MCBP。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择