[发明专利]一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用有效
申请号: | 201710055938.7 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN106654035B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 李晓常;龚小林 | 申请(专利权)人: | 江西冠能光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
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地址: | 337004*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机半导体 主体 材料 及其 有机 发光二极管 应用 | ||
本发明涉及一种有机半导体主体材料及其有机发光二极管应用。一种有机发光二极管,其特征是所述的有机发光二极管由一个阴极,一个阳极以及阴极与阳极间的有机半导体层构成,其中有机半导体层中包含一有机发光层,含有一种有机半导体主体材料,其通式为:其特征是在一发达的吲哚喹喔啉的N原子上相连接一含氮原子芳杂融合环,有利于改善电荷平衡注入与发光稳定性,获得高稳定、高效率及长寿命的发光性能。
技术领域
本发明涉及有机半导体在有机发光器件的应用,尤其是一种平衡电荷注入与传输的有机半导体材料,可作为主体材料应用于有机发光器件,改善器件性能。
背景技术
有机半导体材料属于新型光电材料,其大规模研究起源于1977年由白川英树,A.Heeger及A. McDiamid共同发现了导电率可达铜水平的掺杂聚乙炔。随后,1987年KodaK公司的C. Tang等发明了有机小分子发光二极管(OLED),和1990年剑桥大学的R. Friend及A.Holmes发明了聚合物发光二极管P-OLED,以及1998年S. Forrest与M. Thomson发明了效率更高的有机磷光发光二极管PHOLED。由于有机半导体材料具有结构易调可获得品种多样,能带可调,甚至如塑料薄膜加工一样的低成本好处,加上有机半导体在导电薄膜,静电复印,光伏太阳能电池应用,有机薄膜晶体管逻辑电路,和有机发光OLED平板显示与照明等众多应用,白川-Heeger-McDiamid三位科学家于2000年获得诺贝尔化学奖。
作为下一代平板显示应用的有机发光二极管,有机光电半导体要求有:1. 高发光效率;2. 优良的电子与空穴稳定性;3. 合适的发光颜色;4. 优良的成膜加工性。原则上,大部分共轭性有机分子(包含星射体),共轭性聚合物,和含有共轭性发色团配体的有机重金属络合物都有具备电激发光性能,应用在各类发光二极管,如有机小分子发光二极管(OLED),聚合物有机发光二极管(POLED),有机磷光发光二极管(PHOLED)。磷光PHOLED兼用了单线激发态(荧光)和三线激发态(磷光)的发光机理,显然比小分子OLED及高分子POLED高得多的发光效率。PHOLED制造技术和出色的PHOLED材料都是实现低功耗OLED显示和照明所必不可少的。PHOLED的量子效率和发光效率是荧光OLED材料的3~4倍,因此也减少了产生的热量,增多了OLED显示板的竞争力。这一点提供了使得总体上OLED显示或照明超越LCD显示以及传统光源的可能。因而,现有高端OLED器件中或多或少地掺用了磷光OLED材料。
磷光OLED材料是由含有一定共轭性的有机发光团作为二齿螯合,与金属元素形成环金属-配合体络合物,在高能光照下(如紫外光激发)或电荷注入(电激发)条件下,由于环金属-配体电荷转移(MLCT)成为激子,然后回复到基态而导致发光。在OLED器件中电荷的注入是通过在阳极施加正电压后,从阳极注入空穴,阴极注入电子,分别经过电子传输层与空穴转输层,同时进入发射层的主体材料中,电子最终进入发光掺杂剂中的最低末占分子轨道(LUMO),空穴进入发光掺杂剂中的最高占有分子轨道(HOMO)而形成激发态发光掺杂剂分子(激子态)。激子态回复剂基态后伴随着发射光能,其发射光能波长正对应着发光分子掺杂剂的能隙(HOMO-LUMO能级差)。
已有不少报道的重金属有机配合体络合物,受重金属的影响而增强了自旋轨道作用,使得本应较弱的磷光变得很强而呈现优良磷光发射。例如发绿光的三(苯基吡啶)铱(Ⅲ)配合络合物,简称为Ir(PPY)3,和其衍生物Ir(MePPY)3具有结构式为:
Ir(ppy)3 Ir(Me-PPY)3
发射蓝光的FirPic具有如下结构式:
FirPic
其中的主配体4,6-二氟代苯基吡啶主宰着发光颜色。发射红光的三(辛烷基喹啉)铱(Ⅲ)配合络合物,具有优异的高效发射性能(Adv. Mater. 2007,19,739)其结构式为:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择