[发明专利]半导体封装限制件有效
申请号: | 201710056146.1 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN108346594B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 黄文宏 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 限制 | ||
本揭露提供一种半导体封装限制件,用以将第一载板及晶片固定到第二载板上。半导体封装限制件包含第一底面及第二底面。第一底面接触第二载板的第一表面。第二底面接触晶片的第一表面。
技术领域
本揭露涉及一种半导体封装限制件,特定而言涉及在回焊过程中用于限制半导体封装的半导体封装限制件。
背景技术
在半导体晶片上形成集成电路,接着将半导体晶片接合到封装基底上。在接合过程期问,直接将晶片放置于回焊机热板上进行回焊,没有施加额外的辅助置具,此容易在晶片内造成明显的翘曲。因晶片翘曲导致回焊过程时温度均匀度分布不均,在晶片边缘产生了回焊不完全,最严重的良率损失高达50%。
发明内容
本揭露的实施例提供一种半导体封装限制件,其用以将第一载板及晶片固定到第二载板上。所述半导体封装限制件包括第一底面,其接触第二载板的第一表面;及第二底面,其接触晶片的第一表面。在一或多个实施例中,所述半导体封装限制件包括第三底面,其接触所述第一载板的第一表面。在一或多个实施例中,所述第一底面低于所述第二底面,所述第三底面低于所述第二底面,所述第一底面低于所述第三底面。在一或多个实施例中,所述第一底面、所述第二底面及所述第三底面为阶梯状排列。在一或多个实施例中,所述半导体封装限制件为围绕所述晶片的环状结构。在一或多个实施例中,所述半导体封装限制件进一步包含第三载板,其中所述第一载板在所述第三载板上方。
本揭露的另一实施例提供一种可分离的半导体封装限制件,其用以将第一载板及晶片固定到第二载板上。所述半导体封装限制件包括:第一底面,其可分离地在第二载板上;及第二底面,其可分离地在晶片上。在一或多个实施例中,所述半导体封装限制件包括第三底面,其接触所述第一载板的第一表面。在一或多个实施例中,所述第一底面低于所述第二底面,所述第三底面低于所述第二底面,所述第一底面低于所述第三底面。在一或多个实施例中,所述第一底面、所述第二底面及所述第三底面为阶梯状排列。在一或多个实施例中,所述半导体封装限制件为围绕所述晶片的环状结构。在一或多个实施例中,所述半导体封装限制件进一步包含第三载板,其中所述第一载板在所述第三载板上方。
附图说明
由以下详细说明与附随图式得以最佳了解本申请案揭示内容的各方面。注意,根据产业的标准实施方式,各种特征并非依比例绘示。实际上,为了清楚讨论,可任意增大或缩小各种特征的尺寸。
第1图绘示本揭露的实施例的晶片与半导体封装限制件的顶视图。
第2图绘示本实施例的晶片与半导体封装限制件的剖面图。
第3图绘示本揭露的另一实施例的晶片与半导体封装限制件的剖面图。
具体实施方式
本揭露提供了数个不同的实施方法或实施例,可用于实现本发明的不同特征。为简化说明起见,本揭露也同时描述了特定零组件与布置的范例。请注意提供这些特定范例的目的仅在于示范,而非予以任何限制。举例来说,在以下说明第一特征如何在第二特征上或上方的叙述中,可能会包含某些实施例,其中第一特征与第二特征为直接接触,而叙述中也可能包含其它不同实施例,其中第一特征与第二特征中间另有其它特征,以致于第一特征与第二特征并不直接接触。此外,本揭露中的各种范例可能使用重复的参考数字和/或文字注记,以使文件更加简单化和明确,这些重复的参考数字与注记不代表不同的实施例与配置之间的关联性。
另外,本揭露在使用与空间相关的叙述词汇,如“在…之下”、“低”、“下”、“上方”、上、“在…之上”及类似词汇时,为便于叙述,其用法均在于描述图示中一个元件或特征与另一个(或多个)元件或特征的相对关系。除了图示中所显示的角度方向外,这些空间相对词汇也用来描述所述装置在使用中以及操作时的可能角度和方向。所述装置的角度方向可能不同(旋转90度或其它方位),而在本揭露所使用的这些空间相关叙述可以同样方式加以解释。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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