[发明专利]内连线结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710056223.3 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346616B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李鸿志;黄旻暄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连线 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种内连线结构，其特征在于，包括：
一基底；
一介电层，设置于该基底上，且具有一开口；
一第一导电图案，设置于该开口中；以及
一第二导电图案，设置于该第一导电图案上，且暴露出该第一导电图案的一露出部分，其中该第一导电图案的该露出部分具有一缺口；
其中，该第二导电图案的宽度小于该第一导电图案的宽度，且该第一导电图案的该露出部分位于该第二导电图案的一侧或两侧，第二导电图案的底表面高于第一导电图案顶表面。
2.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，其中该第一导电图案的材料包括W、Ti、TiN、Ta或TaN。
3.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，其中该第二导电图案的材料包括AlCu、Al或W。
4.如权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，其中该缺口暴露出该开口的部分侧壁。
5.一种内连线结构的制造方法，其特征在于，包括：
在一基底上形成一介电层，其中该介电层具有一开口；
在该开口中形成一第一导电图案；
在该第一导电图案上形成一第二导电图案，其中该第二导电图案暴露出该第一导电图案的一露出部分；以及
在该第一导电图案的该露出部分中形成一缺口；
其中，该第二导电图案的宽度小于该第一导电图案的宽度，且该第一导电图案的该露出部分位于该第二导电图案的一侧或两侧，第二导电图案的底表面高于第一导电图案顶表面。
6.如权利要求5所述的内连线结构的制造方法，其特征在于，其中该缺口的形成方法包括：
以该第二导电图案为掩模，对该第一导电图案的该露出部分进行一蚀刻工艺，以部分地移除该第一导电图案的该露出部分。
7.如权利要求6所述的内连线结构的制造方法，其特征在于，其中该蚀刻工艺所使用的一蚀刻气体包括一氯气与一保护气体，且以该氯气与该保护气体的总量计，该氯气的含量为50体积％至96体积％。
8.如权利要求7所述的内连线结构的制造方法，其特征在于，其中该保护气体包括氮气、三氯化硼、三氟甲烷、甲烷或其组合。
9.如权利要求7所述的内连线结构的制造方法，其特征在于，其中该蚀刻气体还包括一惰性气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
