[发明专利]内连线结构及其制造方法

说明书

一种内连线结构，包括基底、介电层、第一导电图案与第二导电图案。介电层设置于基底上，且具有开口。第一导电图案设置于开口中。第二导电图案设置于第一导电图案上，且暴露出第一导电图案的露出部分。第一导电图案的露出部分具有缺口。

技术领域

本发明是有关于一种导电结构及其制造方法，且特别是有关于一种内连线结构及其制造方法。

背景技术

随着半导体产业的发展，当集成电路的集成度增加，芯片的表面无法提供足够的面积来制作所需的内连线时，多层的内连线设计便逐渐地成为许多集成电路所必须采用的设计方式。

随着半导体组件逐渐缩小，多层内连线结构中的上层导电组件与其下方的下层导电组件的重迭裕度(overlay window)也会变小，因此容易发生对准偏差。当多层内连线结构中的上层导电组件与其下方的下层导电组件发生对准偏差时，上层导电组件会暴露出其下方的下层导电组件。如此一来，相邻的两个上层导电组件会通过所暴露出的下层导电组件而产生桥接路径(bridging path)，进而产生电路桥接(circuit bridging)的缺陷。

发明内容

本发明提供一种内连线结构及其制造方法，其可有效地防止产生电路桥接的缺陷。

本发明提出一种内连线结构，包括基底、介电层、第一导电图案与第二导电图案。介电层设置于基底上，且具有开口。第一导电图案设置于开口中。第二导电图案设置于第一导电图案上，且暴露出第一导电图案的露出部分。第一导电图案的露出部分具有缺口。

依照本发明的一实施例所述，在上述内连线结构中，第一导电图案的材料例如是W、Ti、TiN、Ta或TaN。

依照本发明的一实施例所述，在上述内连线结构中，第二导电图案的材料例如是AlCu、Al或W。

依照本发明的一实施例所述，在上述内连线结构中，第二导电图案的宽度可小于第一导电图案的宽度，且第一导电图案的露出部分可位于第二导电图案的一侧或两侧。

依照本发明的一实施例所述，在上述内连线结构中，缺口可暴露出开口的部分侧壁。

本发明提出一种内连线结构的制造方法，包括下列步骤。在基底上形成介电层，其中介电层具有开口。在开口中形成第一导电图案。在第一导电图案上形成第二导电图案。第二导电图案暴露出第一导电图案的露出部分。在第一导电图案的露出部分中形成缺口。

依照本发明的一实施例所述，在上述内连线结构的制造方法中，缺口的形成方法例如是以第二导电图案为掩模，对第一导电图案的露出部分进行蚀刻工艺，以部分地移除第一导电图案的露出部分。

依照本发明的一实施例所述，在上述内连线结构的制造方法中，蚀刻工艺所使用的蚀刻气体包括氯气与保护气体。以氯气与保护气体的总量计，氯气的含量例如是50体积％至96体积％。

依照本发明的一实施例所述，在上述内连线结构的制造方法中，保护气体例如是氮气(N₂)、三氯化硼(BCl₃)、三氟甲烷(CHF₃)、甲烷(CH₄)或其组合。

依照本发明的一实施例所述，在上述内连线结构的制造方法中，蚀刻气体还包括惰性气体。

基于上述，在本发明所提出的内连线结构及其制造方法中，由于第二导电图案所暴露出的第一导电图案的露出部分具有缺口，因此可切断相邻两个第二导电图案之间的桥接路径。如此一来，本发明所提出的内连线结构及其制造方法可防止产生电路桥接的缺陷，且可有效地增加第二导电图案与第一导电图案的重迭裕度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1D为本发明一实施例的内连线结构的制造流程剖面图。