[发明专利]适用于单片式外延炉的分离式基座组件在审
申请号: | 201710056500.0 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN108346613A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 季文明;刘源 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 挖空部 分离式基座 平面部 主体部 单片式 上表面 外延炉 圆盘状 顶针 基座设计 纳米形貌 邻接 沉积 减小 均一 平齐 通孔 嵌入 背面 贯穿 配合 | ||
1.一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于,所述分离式基座组件包括分离式基座,所述分离式基座包括:
第一部分,所述第一部分包括主体部及挖空部,所述挖空部沿所述主体部的厚度方向贯穿所述主体部;
第二部分,所述第二部分包括平面部,所述平面部的形状及尺寸与所述挖空部的形状及尺寸相同,所述第二部分与所述第一部分配合使用,所述第二部分与所述第一部分配合时,所述平面部嵌入所述挖空部内,且所述平面部的上表面与所述挖空部外侧邻接的所述主体部的上表面相平齐。
2.根据权利要求1所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于:所述主体部的上表面设有适于放置基片的凹槽,所述凹槽位于所述挖空部的外围。
3.根据权利要求2所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于:所述凹槽的外围设有弧形坡面,所述弧形坡面与基片边缘附近的弧形部分相匹配。
4.根据权利要求1所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于:所述主体部的下表面设有至少一级第一阶梯结构,所述第一阶梯结构位于所述挖空部的外围;所述第二部分还包括阶梯部,所述阶梯部包括第二阶梯结构,所述第二阶梯结构与所述第一阶梯结构上下对应设置,且在所述第一部分与所述第二部分配合时,所述第二阶梯结构与所述第一阶梯结构无缝贴合。
5.根据权利要求1所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于:所述分离式基座组件还包括支撑轴,所述支撑轴的一端与所述第二部分的底部相连接,适于驱动所述第二部分上下运动。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于:所述主体部为环形主体部,所述挖空部为位于所述主体部内侧的通孔。
7.根据权利要求6所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于:所述分离式基座组件还包括第一预加热环及第一托盘;所述第一预加热环位于所述分离式基座外围;所述第一托盘位于所述第一预加热环内侧,且所述第一托盘上表面低于所述第一预加热环上表面,所述第一托盘内设有通孔,所述第一托盘的横向尺寸大于或等于所述第一部分的横向尺寸,所述通孔的横向尺寸小于所述第一部分的横向尺寸且大于所述第二部分的横向尺寸。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于:所述主体部为具有缺口的主体部,所述挖空部包括位于所述主体部内侧的通孔及将所述通孔与所述主体部外侧相连接的缺口。
9.根据权利要求8所述的适用于单片式外延炉的分离式基座组件,其特征在于:所述分离式基座组件还包括第二预加热环及第二托盘;所述第二预加热环位于所述分离式基座外围;所述第二托盘为环形结构,所述第二托盘的内径大于或等于所述第二预加热环的内径,所述第二托盘经由连接块固定于所述第二预加热环的下方,且与所述第二预加热环相隔有间距;所述连接块位于所述预加热环的下方,且位于所述通孔的外侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造