[发明专利]适用于单片式外延炉的分离式基座组件

说明书

本发明提供一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件，包括分离式基座，所述分离式基座包括：第一部分，第一部分包括主体部及挖空部，挖空部沿主体部的厚度方向贯穿主体部；第二部分，第二部分包括平面部，平面部的形状及尺寸与挖空部的形状及尺寸相同，第二部分与第一部分配合使用，第二部分与第一部分配合时，平面部嵌入挖空部内，且平面部的上表面与挖空部外侧邻接的主体部的上表面相平齐。通过将基座设计成分离式的两部分，使得组合两部分后的基座无需通孔或顶针，就能实现现有传片设备的要求；同时，组合后的基座呈现出完整的圆盘状，完整的圆盘状将有利于基片温度的均一，提高外延后基片的正表明纳米形貌，同时减小外延后基片的背面沉积。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件。

背景技术

现有的主流单片式外延炉一般都采用圆盘式基座(Susceptor)设计，基座作为外延沉积时基座陈列的装置，对外延片质量起到决定性作用。

现有的一种基座如图1所示，所述基座包括：基座主体11，所述基座主体11内设有多个第一通孔12，所述第一通孔12的作用是在伯努利吸盘工作时可以顺利抓片；如果没有所述第一通孔12，在抓片时，基片15和所述基座之间密封的区域将形成负压区，进而增大了所述基片15上下表面的压力，该压差将所述基片15按在所述基座上，进而造成抓片失败。上述所述基底由于所述基底主体11内设有所述第一通孔12，在外延的过程中容易造成基片15的温度不均匀，进而在所述基片15的上下表面造成不均匀的沉积，从而造成在所述基片15表面造成纳米形貌(nanotopography)等参数的恶化。

现有的另一种基座如图2所示，所述基座包括：基座主体11及顶针14，所述基座主体11内设有第二通孔13，所述顶针14经由所述第二通孔13插入所述基座主体11内。在需要抓片时，通过所述顶针14将基片15顶起，再用机械手臂进行所述基片15的抓取。然而，该中所述基座在正常外延生长时，由于所述顶针14悬挂在所述基座上，突出的所述顶针14强导致所述基片15在所述顶针14位置的温度分布不均匀，进而在所述基片15背面造成所述的顶针印记(lift pin mark)，同时还会在所述基片15的正面造成纳米形貌等参数的恶化。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件，用于解决现有技术中的基座由于基座主体内设有通孔而导致的在外延的过程中容易造成基片的温度不均匀，进而在基片的上下表面造成不均匀的沉积，从而造成在基片表面造成纳米形貌等参数的恶化的问题，以及由于现有技术中的基座使用顶针而导致的基片在顶针位置的温度分布不均匀，进而在基片背面造成所述的顶针印记，同时还会在基片的正面造成纳米形貌等参数的恶化的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种适用于单片式外延炉的分离式基座组件，所述分离式基座组件包括分离式基座，所述分离式基座包括：

第一部分，所述第一部分包括主体部及挖空部，所述挖空部沿所述主体部的厚度方向贯穿所述主体部；

第二部分，所述第二部分包括平面部，所述平面部的形状及尺寸与所述挖空部的形状及尺寸相同，所述第二部分与所述第一部分配合使用，所述第二部分与所述第一部分配合时，所述平面部嵌入所述挖空部内，且所述平面部的上表面与所述挖空部外侧邻接的所述主体部的上表面相平齐。

作为本发明的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述主体部的上表面设有适于放置基片的凹槽，所述凹槽位于所述挖空部的外围。

作为本发明的适用于单片式外延炉的分离式基座组件的一种优选方案，所述凹槽的外围设有弧形坡面，所述弧形坡面与基片边缘附近的弧形部分相匹配。