[发明专利]包括垂直存储器装置的集成电路装置及其制造方法有效
申请号: | 201710057388.2 | 申请日: | 2017-01-26 |
公开(公告)号: | CN107017258B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 金光洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11519 | 分类号: | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/11507;H01L27/11514;H01L27/1159;H01L27/11597;H01L27/22;H01L27/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 垂直 存储器 装置 集成电路 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成电路装置,所述集成电路装置包括:
多条字线,与基底的主表面平行地在基底上延伸,并且在垂直于所述主表面的第一方向上彼此分离;
沟道区,在基底上在第一区域中延伸通过所述多条字线;
位线接触焊盘,位于沟道区上,并且接触沟道区的上表面;
位线,在第一区域中接触位线接触焊盘,并且沿与基底的主表面平行的第二方向在位线接触焊盘上延伸;
共源线,在第一区域和与第一区域分离的第二区域中部分地填充字线切割区,字线切割区掩埋绝缘层在第一区域中插置在共源线与位线之间,所述字线切割区在所述多条字线的一侧上沿第三方向延伸,所述第三方向与基底的主表面方向平行并且与第二方向相交,所述共源线距基底的顶表面的高度低于沟道区距基底的顶表面的高度;
共源通路接触件,在字线切割区中在第二区域中接触共源线的上表面并且从共源线的上表面沿远离基底的方向延伸。
2.如权利要求1所述的集成电路装置,其中,共源线具有在字线切割区中沿第三方向延伸的线形形状,
共源通路接触件具有在共源线的上表面上的局部区域中沿第一方向延伸的塞的形状。
3.如权利要求1所述的集成电路装置,其中,共源通路接触件从字线切割区的内部向外突出。
4.如权利要求1所述的集成电路装置,其中,从基底到共源通路接触件的上表面的距离大于从基底到位线接触焊盘的上表面的距离。
5.如权利要求1所述的集成电路装置,其中,从基底到共源通路接触件的上表面的距离大于从基底到位线的上表面的距离。
6.如权利要求1所述的集成电路装置,其中,字线切割区掩埋绝缘层在字线切割区中在第二区域中覆盖共源线,
所述共源通路接触件在字线切割区中被字线切割区掩埋绝缘层围绕。
7.如权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述集成电路装置还包括:绝缘间隔件,位于共源线与所述多条字线之间,
其中,字线切割区掩埋绝缘层在字线切割区中覆盖共源线和绝缘间隔件,
字线切割区掩埋绝缘层在第二方向上的宽度大于共源线在第二方向上的宽度。
8.如权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述集成电路装置还包括:
虚设沟道区,在第二区域中沿第一方向延伸通过所述多条字线,
虚设接触焊盘,位于虚设沟道区上并且接触虚设沟道区的上表面。
9.如权利要求1所述的集成电路装置,其中,共源线的高度小于字线切割区的总高度的三分之二。
10.如权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述集成电路装置还包括:
绝缘间隔件,位于共源线与所述多条字线之间,
其中,字线切割区掩埋绝缘层在字线切割区中覆盖共源线和绝缘间隔件,
其中,字线切割区掩埋绝缘层包括包含不同材料的至少两层绝缘层的多层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的