[发明专利]包括垂直存储器装置的集成电路装置及其制造方法

说明书

提供了一种包括垂直存储器装置的集成电路(IC)装置及其制造方法，所述IC装置包括：沟道区，在基底上延伸以穿透多条字线；位线接触焊盘，接触沟道区的上表面；位线，接触位线接触焊盘，并且沿与基底的主表面平行的方向在位线接触焊盘上延伸；共源线，部分地填充字线切割区，并且具有比沟道区的高度低的高度；共源通路接触件，在字线切割区中接触共源线的上表面。

本申请要求于2016年1月28日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0010725号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种集成电路(IC)装置及制造IC装置的方法，更具体地，涉及一种包括非易失性垂直存储器装置的IC装置及制造该IC装置的方法。

背景技术

包括存储器装置的IC装置的大容量和高集成度是满足多功能信息和通信装置的需求所需的特征。存储器装置的高集成度和存储器单元尺寸的减小已使得包括在存储器装置中的诸如存储器装置的操作、运算电路和互连线的结构的这些功能和特征变得更加复杂。

发明内容

根据发明构思的一方面，提供了一种IC装置，所述IC装置包括：多条字线，与基底的主表面平行地在基底上延伸，并且在垂直于所述主表面的第一方向上彼此分离；沟道区，在基底上在第一区域中延伸通过多条字线；位线接触焊盘，位于沟道区上，并且接触沟道区的上表面；位线，在第一区域中接触位线接触焊盘，并且沿与基底的主表面平行的第二方向在位线接触焊盘上延伸；共源线，部分地填充字线切割区，所述字线切割区在多条字线的一侧上沿第三方向延伸，所述第三方向与基底的主表面平行并且与第二方向相交，所述共源线具有比沟道区的高度低的高度；共源通路接触件，在字线切割区中接触共源线的上表面并且从共源线的上表面沿远离基底的方向延伸。

根据发明构思的另一方面，提供了一种IC装置，所述IC装置包括：外围电路，位于基底上；半导体层，位于外围电路上；存储器单元阵列区，位于半导体层上，并且沿竖直方向与外围电路叠置，存储器单元阵列区包括多个存储器单元阵列以及在多个存储器单元阵列中的相邻的两个之间的共源线接线片区；多条字线，在半导体层上延伸，平行于基底的主表面，包括在多个存储器单元阵列中的每个中且在与基底的主表面垂直的第一方向上彼此分离；多个沟道区，沿第一方向在半导体层上延伸，穿过多条字线；多个位线接触焊盘，在多个沟道区上以接触多个沟道区；多条位线，沿与基底的主表面平行的第二方向在与共源线接线片区分离的区域中延伸，并且接触多个位线接触焊盘；共源线，部分地填充字线切割区，所述字线切割区在多条字线的一侧上沿第三方向延伸，所述第三方向与基底的主表面方向平行并且与第二方向相交，所述共源线具有比多个沟道区的高度低的高度；至少一个共源通路接触件，在共源线接线片区中接触共源线的上表面，并且沿远离基底的方向从共源线的上表面延伸。

根据发明构思的另一方面，提供了一种制造集成电路(IC)装置的方法，所述方法包括在基底上形成多个绝缘层和多个预备栅极层逐个交替地堆叠的结构。可以形成多个穿透所述的结构的沟道孔。可以在基底上在第一区域中在从多个沟道孔中选择的多个第一沟道孔中形成多个沟道区，可以在基底上在与第一区域分离的第二区域中在从多个沟道孔中选择的多个第二沟道孔中形成多个虚设沟道区，随后形成字线切割区，所述字线切割区暴露多个预备栅极层并穿透所述结构，以在与基底的主表面平行的方向上以线形形状延伸以通过第一区域和第二区域。可以用多个导电层替代通过字线切割区暴露的多个预备栅极层。可以形成覆盖字线切割区内侧壁的绝缘间隔件，随后形成仅填充字线切割区的下部的共源线，在字线切割区的上部留有凹空间。可以在凹空间中形成字线切割区掩埋绝缘层，以在凹空间中覆盖共源线。可以在第二区域中形成穿透字线切割区掩埋绝缘层的通路接触孔。可以在通路接触孔中形成共源通路接触件，以接触共源线。