[发明专利]存储器装置及其操作方法有效
申请号: | 201710057877.8 | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN107665721B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 徐智贤 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵爱玲;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
多个存储器单元,其沿着垂直于衬底的柱堆叠;
外围电路,其被配置为编程和验证在所述存储器单元中联接至选择的字线的存储器单元;以及
控制逻辑,其被配置为控制所述外围电路,使得当验证所述存储器单元时,当所述选择的字线位于所述柱的宽度大于参考宽度的相对大的柱区域时,将第一通过电压施加至未选择的字线,并且当所述选择的字线位于所述柱的宽度小于所述参考宽度的相对小的柱区域时,将第二通过电压施加至与所述选择的字线相邻的至少一个未选择的字线,将所述第一通过电压施加到其余未选择的字线,并将验证电压施加到所述选择的字线,
所述第二通过电压高于所述第一通过电压。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路,使得:
当验证位于其中所述柱的宽度小于所述参考宽度的柱区域中的存储器单元时,高于所述第一通过电压的所述第二通过电压被施加到全部未选择的字线中邻近所述选择的字线的所述未选择的字线,并且所述第一通过电压被施加到剩余的未选择的字线。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述柱根据所述柱的宽度被分成多个柱区域。
4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路,使得根据所述多个柱区域中包括所述选择的字线的柱区域来调整所述第一通过电压和所述第二通过电压。
5.根据权利要求4所述的存储器装置,其中所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路,使得当包括所述选择的字线的所述柱的所述宽度变小时,被施加到所述未选择的字线的通过电压逐渐增大。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述柱在所述衬底上形成为“I”形或“U”形。
7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中
所述柱形成为被实施为单层结构的单层堆叠结构,或形成为其中堆积一个或多个堆叠的多层堆叠结构。
8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中,当所述柱形成为所述单层堆叠结构时,所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路,使得:
当验证位于所述柱的宽度小于所述参考宽度的相对小的柱区域中的所述存储器单元时,高于所述第一通过电压的所述第二通过电压被施加到全部未选择的字线中邻近所述选择的字线的所述未选择的字线,并且所述第一通过电压被施加到剩余的未选择的字线。
9.根据权利要求7所述的存储器装置,其中,当所述柱形成为所述多层堆叠结构时,所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路,使得当验证所述存储器单元时,根据所述选择的字线的位置和编程操作的顺序来调整施加到所述未选择的字线的通过电压。
10.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述外围电路包括电压生成电路,其被配置为在所述控制逻辑的控制下生成具有各种电平的包括所述第一通过电压和所述第二通过电压的通过电压。
11.一种存储器装置的操作方法,所述操作方法包括:
设置具有小于参考宽度的宽度的柱区域;
在编程操作期间确定选择的字线是否被包括在所述柱区域中;
当确定所述选择的字线不被包括在所述柱区域中时,设置第一通过电压,反之当确定所述选择的字线被包括在所述柱区域中时,设置所述第一通过电压和高于所述第一通过电压的第二通过电压;
编程联接至所述选择的字线的存储器单元;以及
通过将验证电压施加到所述选择的字线并且将所述第一通过电压或所述第一通过电压和所述第二通过电压施加到未选择的字线来验证所述存储器单元。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一通过电压与在读取操作中使用的通过电压相同。
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