[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

本发明提供一种数据存储装置以及数据存储装置的操作方法。存储器装置包括：多个存储器单元，其沿着垂直于衬底的柱堆叠；外围电路，其被配置为编程和验证在存储器单元中联接至选择的字线的存储器单元；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路，使得当验证存储器单元时，根据选择的字线的位置来调整施加到未选择的字线的通过电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年7月28日提交的申请号为10-2016-0096292的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用而整体并入本文。

技术领域

本公开的各种实施例涉及一种存储器装置及其方法，并且更特别地，涉及一种三维(3D)存储器装置以及存储器装置的操作方法。

背景技术

存储器装置可主要分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

与易失性存储器装置相比，非易失性存储器装置具有相对低的写入速度和读取速度，但是即使当装置的电源被中断时，也可保持存储在其中的数据。因此，为了存储待保持的数据而不论是否供给电力，非易失性存储器装置广泛地用于便携式电子装置。根据用于存储数据的方案，非易失性存储器装置可以是或包括只读存储器(ROM)、掩膜ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

诸如闪速存储器的存储器装置可形成为其中单元串水平地布置在半导体衬底上的二维(2D)结构，或其中单元串垂直地布置在半导体衬底上的三维(3D)结构。3D存储器装置被设计用于克服2D存储器装置的集成度的限制，并且可包括在半导体衬底上垂直堆叠的多个存储器单元。

发明内容

本公开的各种实施例涉及一种存储器装置以及存储器装置的操作方法，其可提高3D存储器装置的编程操作的可靠性。

本公开的一个实施例提供存储器装置，其包括：多个存储器单元，其沿着垂直于衬底的柱(pillar)堆叠；外围电路，其被配置为编程和验证在存储器单元中联接至选择的字线的存储器单元；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路，使得当验证存储器单元时，根据选择的字线的位置来调整施加到未选择的字线的通过电压。

本公开提供存储器装置的操作方法，该操作方法包括：设置具有小于参考宽度的宽度的柱区域；在编程操作期间确定选择的字线是否被包括在柱区域中；当确定选择的字线未包括在柱区域中时，设置第一通过电压，而当确定选择的字线被包括在柱区域中时，设置第一通过电压和高于第一通过电压的第二通过电压；编程联接至选择的字线的存储器单元；通过将验证电压施加到选择的字线并且将第一通过电压或第一通过电压和第二通过电压施加到未选择的字线来验证存储器单元。

进一步地，本公开提供存储器装置的操作方法，该操作方法包括：根据柱的宽度限定多个柱区，其中沿着柱堆叠多个存储器单元；在柱区域中根据包括选择的字线的柱区域设置一个或多个通过电压；通过将编程电压施加到选择的字线来编程联接至选择的字线的存储器单元；通过将验证电压施加到选择的字线并且将通过电压选择性地施加到未选择的字线来验证存储器单元。

附图说明

现在将参照附图在下文中更全面地描述示例性实施例；然而，其可以不同形式被实施，并且不应被理解为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是全面的且完整的，并且将向本领域技术人员完全传达示例性实施例的范围。

在附图中，为了清楚说明尺寸可能被放大。将理解的是，当元件被称为在两个元件“之间”时，两个元件之间可仅有一个元件或也可存在一个或多个中间元件。在整个公开中，相同的参考数字表示相同的元件。

图1是示出根据本公开的实施例的存储器系统的图；

图2是示出图1的存储器装置的图；