[发明专利]制作双镶嵌结构的方法

权利要求书

1.一种制作双镶嵌结构的方法，包含：

提供一基底，该基底上具有一介电层；

形成一导孔穿过该介电层；

在该基底上形成一牺牲层填满该导孔；

在该牺牲层上形成一光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂具有一沟槽图案，该沟槽图案与该导孔重叠；以及

经由该光致抗蚀剂进行一蚀刻制作工艺以在该介电层中形成一沟槽，其中该蚀刻制作工艺对于该介电层以及该牺牲层的蚀刻选择比为1:1，而该沟槽与该导孔共同构成一双镶嵌凹槽。

2.如权利要求1所述的制作双镶嵌结构的方法，还包含在该蚀刻制作工艺后移除该导孔中剩余的该牺牲层。

3.如权利要求1所述的制作双镶嵌结构的方法，还包含盖层，设置在该光致抗蚀剂与该介电层之间。

4.如权利要求3所述的制作双镶嵌结构的方法，其中该蚀刻制作工艺对于该盖层与该牺牲层的蚀刻选择比不同，使得该蚀刻制作工艺会同时移除该导孔中所有的该牺牲层。

5.如权利要求1所述的制作双镶嵌结构的方法，还包含蚀刻停止层，设置在该基底与该介电层之间。

6.如权利要求5所述的制作双镶嵌结构的方法，其中该蚀刻制作工艺会同时移除该导孔中的该牺牲层以及该蚀刻停止层。