[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

晶体管部，其形成于所述半导体基板；

二极管部，其形成于所述半导体基板，且在所述半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及

栅极流道，其设置在所述晶体管部与所述二极管部之间，且与所述晶体管部的栅极电连接，

所述晶体管部的集电极区形成于所述栅极流道的下方的至少一部分区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板在所述半导体基板的正面侧且所述栅极流道的下方的至少一部分区域具有寿命控制体。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板在所述半导体基板的正面侧且所述栅极流道的下方的整个区域具有寿命控制体。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板在所述半导体基板的正面侧且与所述栅极流道相比更靠近所述晶体管部侧的至少一部分区域具有寿命控制体。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部的集电极区形成于所述栅极流道的下方的整个区域。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部的集电极区形成于与所述栅极流道相比更靠近所述二极管部侧的至少一部分区域。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备阱区，所述阱区具有与所述半导体基板不同的导电型，且形成于所述栅极流道的下方。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管部具备形成于所述半导体基板的正面的栅极沟槽部，

所述栅极沟槽部的至少一部分形成于所述栅极流道的下方。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部配置于所述半导体装置的活性区的端部。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部配置于所述半导体装置的活性区的角部。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部在俯视时包围所述晶体管部的周围。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在俯视的情况下，所述晶体管部包围所述二极管部的周围。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：

温度传感器，其以与所述晶体管部相邻的方式设置，检测与所述晶体管部的温度对应的信号；以及

温度传感器端子，其通过传感器用布线与所述温度传感器电连接，并接收所述温度传感器所检测到的信号。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部具有用于供所述栅极流道和所述传感器用布线中的至少一方横穿所述二极管部的间隔区域。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述温度传感器配置于阱区的上方。

16.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述温度传感器被所述晶体管部包围。

17.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述二极管部具有：

第一二极管区，其形成于所述半导体装置的活性区的一端；以及

第二二极管区，其形成于所述活性区的与所述一端对置的另一端。

18.根据权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，所述温度传感器设置于所述第一二极管区与所述第二二极管区之间。