[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供具有RC‑IGBT结构且具备FWD(Free Wheel Diode：续流二极管)区域和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)区域的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其形成于半导体基板；二极管部，其形成于半导体基板，且在半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在晶体管部与二极管部之间，且与晶体管部的栅极电连接。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，已知在具有RC-IGBT结构的半导体装置中，具有FWD区域与IGBT区域相邻而形成的结构(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-363328号公报

发明内容

技术问题

然而，现有的半导体装置由于注入FWD区域的寿命控制体也被注入到了IGBT区域，所以有时会牺牲IGBT的电气特性。

技术方案

在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其形成于半导体基板；二极管部，其形成于半导体基板，且在半导体基板的正面侧具有寿命控制体；以及栅极流道，其设置在晶体管部与二极管部之间，且与晶体管部的栅极电连接。

半导体基板可以在半导体基板的正面侧且栅极流道的下方的至少一部分区域具有寿命控制体。

半导体基板可以在半导体基板的正面侧且栅极流道的下方的整个区域具有寿命控制体。

半导体基板可以在半导体基板的正面侧且与栅极流道相比更靠晶体管部侧的至少一部分具有寿命控制体。

晶体管部的集电极区可以形成于栅极流道的下方的至少一部分。

晶体管部的集电极区可以形成于栅极流道的下方的整个区域。

晶体管部的集电极区可以形成于与栅极流道相比更靠二极管部侧的至少一部分。

二极管部的阴极区可以不形成于栅极流道的下方。

半导体装置还可以具备阱区，所述阱区具有与半导体基板不同的导电型，且形成于栅极流道的下方。

晶体管部可以具备形成于半导体基板的正面的栅极沟槽部，栅极沟槽部的至少一部分形成于栅极流道的下方。

二极管部可以配置于半导体装置的活性区的端部。

二极管部可以配置于半导体装置的活性区的角部。

二极管部可以在俯视时包围晶体管部的周围。

晶体管部可以在俯视时包围二极管部的周围。

半导体装置还可以具备：温度传感器，其以与晶体管部相邻的方式设置，检测与晶体管部的温度对应的信号；以及温度传感器端子，其通过传感器用布线与温度传感器电连接，并被输入温度传感器所检测到的信号。

二极管部可以具有用于供栅极流道和传感器用布线中的至少一方横穿二极管部的间隔区域。

温度传感器可以配置于阱区的上方。

温度传感器可以被晶体管部包围。

二极管部可以具有：第一二极管区，其形成于半导体装置的活性区的一端；以及第二二极管区，其形成于活性区的与一端对置的另一端。

温度传感器可以设置于第一二极管区与第二二极管区之间。