[发明专利]非易失性存储器件的编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件的编程方法，该非易失性存储器件包括耦合到字线的多个多电平单元，该方法包括：

执行对所述多个多电平单元中的2比特数据的最低有效位LSB进行编程的LSB编程操作；以及

执行对所述多个多电平单元中的2比特数据的最高有效位MSB进行编程的MSB编程操作，MSB编程操作包括：

MSB预编程操作，对所述多个多电平单元当中的第一多电平单元预编程为中间编程状态，第一多电平单元是所述多个多电平单元当中的待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的多电平单元，和

与MSB预编程操作分开的MSB主编程操作，通过向所述多个多电平单元施加至少一个编程脉冲来将所述多个多电平单元编程到与2比特数据相对应的所述多个目标编程状态，所述MSB主编程操作包括验证操作，以验证所述多个多电平单元被编程为所述多个目标编程状态，而且

MSB预编程操作包括：

向耦合到第一多电平单元的第一位线施加编程电压；

向耦合到所述多个多电平单元当中的、不同于第一多电平单元的第二多电平单元的第二位线施加禁止电压，第二多电平单元包括所述多个多电平单元当中的、待被编程到所述多个目标编程状态中邻近最高目标编程状态的目标编程状态的多电平单元，而且禁止电压高于编程电压；以及

向字线施加单脉冲，以将第一多电平单元预编程到与最高目标编程状态相对应的中间编程状态，

其中，不执行中间编程状态的验证操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中，

由MSB主编程操作将第一多电平单元从中间编程状态编程到最高目标编程状态，最高目标编程状态的宽度窄于中间编程状态的宽度。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述单脉冲的电压电平足以基本增加第一多电平单元中的至少一个的阈值电压。

4.如权利要求1所述的方法，其中，在MSB预编程操作期间施加到第一位线的编程电压是地电压。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在MSB预编程操作期间施加到第一位线的编程电压是高于地电压的电压。

6.一种非易失性存储器件，包括：

存储单元阵列，包括耦合到字线的多个多电平单元；

电压生成器，被配置为生成第一增量步进脉冲、单脉冲和第二增量步进脉冲；以及

控制电路，被配置为：

通过使用第一增量步进脉冲执行对所述多个多电平单元中的2比特数据的最低有效位LSB进行编程的LSB编程操作；以及

执行对所述多个多电平单元中的2比特数据的最高有效位MSB进行编程的MSB编程操作，MSB编程操作包括：

MSB预编程操作，MSB预编程操作对所述多个多电平单元当中的第一多电平单元预编程为中间编程状态，第一多电平单元是所述多个多电平单元当中的待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的多电平单元，和

与MSB预编程操作分开的MSB主编程操作，通过使用第二增量步进脉冲将所述多个多电平单元编程到与2比特数据相对应的所述多个目标编程状态，所述MSB主编程操作包括验证操作，以验证所述多个多电平单元被编程为所述多个目标编程状态，而且

MSB预编程操作包括：

向耦合到第一多电平单元的第一位线施加编程电压；

向耦合到所述多个多电平单元当中的、不同于第一多电平单元的第二多电平单元的第二位线施加禁止电压，第二多电平单元包括所述多个多电平单元当中的、待被编程到所述多个目标编程状态中邻近最高目标编程状态的目标编程状态的多电平单元，而且禁止电压高于编程电压；以及

向字线施加单脉冲，以将第一多电平单元预编程到与最高目标编程状态相对应的中间编程状态，

其中，不执行中间编程状态的验证操作。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器件，其中，

由MSB主编程操作将第一多电平单元从中间编程状态编程到最高目标编程状态，最高目标编程状态的宽度窄于中间编程状态的宽度。