[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

设置在衬底基板上方的有源层，设置在所述有源层一侧的源极以及设置在所述有源层另一侧的漏极，设置在所述有源层上方或下方的栅极，以及设置在所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层；

其中，所述源极与所述有源层之间还设置有连接所述源极与所述有源层的第一反型电极，所述漏极与所述有源层之间还设置有连接所述漏极与所述有源层的第二反型电极，所述第一反型电极与所述源极的导电类型相反，所述第二反型电极的导电类型与所述漏极的导电类型相反。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层、所述第一反型电极和所述第二反型电极在所述衬底基板上的正投影的组合重叠，所述栅极在衬底基板上的正投影与所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影重叠。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为多晶硅薄膜，所述源极和所述漏极为掺杂P型杂质离子的多晶硅薄膜，所述第一反型电极和所述第二反型电极为掺杂N型杂质离子的多晶硅薄膜；或者，所述源极和所述漏极为掺杂N型杂质离子的多晶硅薄膜，所述第一反型电极和所述第二反型电极为掺杂P型杂质离子的多晶硅薄膜。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一反型电极掺杂的杂质离子的浓度小于所述源极掺杂的杂质离子的浓度，所述第二反型电极掺杂的杂质离子的浓度小于所述漏极掺杂的杂质离子的浓度。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。

7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底基板的上方形成有源层，以及在所述有源层的一侧形成与所述有源层相接触的第一反型电极，在所述有源层的另一侧边形成与所述有源层相接触的第二反型电极；

形成与所述第一反型电极相接触的源极，以及与所述第二反型电极相接触的漏极，所述源极与所述第一反型电极的导电类型相反，所述漏极与所述第二反型电极的导电类型相反；

其中，在形成所述第一反型电极和所述第二反型电极之前，所述制作方法还包括：在所述有源层之上形成栅极绝缘层，以及在所述栅极绝缘层之上形成栅极；或者，在形成所述有源层之前，所述制作方法还包括：在所述衬底基板之上形成栅极，以及在所述栅极之上形成栅极绝缘层。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板的上方形成有源层，以及在所述有源层的一侧形成与所述有源层相接触的第一反型电极，在所述有源层的另一侧边形成与所述有源层相接触的第二反型电极；形成与所述第一反型电极相接触的源极，以及与所述第二反型电极相接触的漏极，具体包括：

在衬底基板的上方形成多晶硅薄膜层，将所述多晶硅薄膜层的第一区域的中部第一子区域作为所述有源层；

采用第一离子注入工艺，向所述多晶硅薄膜层的第一子区域的以外区域注入P型杂质离子，形成第一轻掺杂区；

采用第二离子注入工艺，向所述多晶硅薄膜层的所述第一区域一侧的区域注入N型杂质离子，形成源极，向所述多晶硅薄膜层的第一区域另一侧的区域注入N型杂质离子，形成漏极，将所述多晶硅薄膜层的所述有源层与所述源极之间的区域作为第一反型电极，将所述多晶硅薄膜层的所述有源层与所述漏极之间的区域作为第二反型电极。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述采用第一离子注入工艺，向所述多晶硅薄膜层的第一子区域的以外区域注入P型杂质离子，具体包括：

以与衬底基板的法线的倾斜角为30°～75°，剂量为1E13atoms/cm²～8E14atoms/cm²，向所述多晶硅薄膜层的第一子区域的以外区域注入P型杂质离子，形成所述第一轻掺杂区。

10.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述采用第二离子注入工艺，向所述多晶硅薄膜层的所述第一区域一侧的区域注入N型杂质离子，形成源极，向所述多晶硅薄膜层的第一区域另一侧的区域注入N型杂质离子，形成漏极，具体包括：

以与衬底基板的法线的倾斜度为0°～7°，剂量为1E15atoms/cm²-1E18atoms/cm²，向所述多晶硅薄膜层的所述第一区域一侧的区域注入N型杂质离子，形成源极，向所述多晶硅薄膜层的第一区域另一侧的区域注入N型杂质离子，形成所述漏极。