[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制作方法

说明书

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制作方法。

背景技术

目前的显示类型主要包括液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、等离子显示(Plasma Display Panel，PDP)和电子墨水显示等多种。由于现有的显示器件的分辨率越来越高，进而，相应的，显示器件中的薄膜晶体管的有源层越来越短，而薄膜晶体管有源层的缩短会致使薄膜晶体管发生短沟道效应和热载流子效应，导致薄膜晶体管的性能发生异常，进而影响显示器件的正常显示。

图1所示为现有的一种薄膜晶体管的结构示意图，包括：设置在衬底基板11上方隔离层12，设置在隔离层12上方的有源层131，设置在有源层131一侧的源极132以及设置在有源层131另一侧的漏极133，设置在有源层131上方的栅极15，以及设置在有源层131与栅极15之间的栅极绝缘层14，其中，现有薄膜晶体管通常在栅极绝缘层14下方的两侧掺杂相对源漏掺杂浓度较低的杂质，形成第一轻掺杂漏区134和第二轻掺杂漏区135，依此削减电场梯度的坡度，降低热载流子效应对薄膜晶体管的影响，但该种结构的薄膜晶体管，不仅不能避免短沟道效应的发生，而且还会导致沟道变得更短，使薄膜晶体管的更易发生短沟道效应。

综上，现有的薄膜晶体管容易发生短沟道效应，导致薄膜晶体管的性能较差。

发明内容

本申请实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制作方法，以降低薄膜晶体管由于有源层的缩短而产生短沟道效应的几率，提高薄膜晶体管的性能。

本申请实施例提供一种薄膜晶体管，包括：

设置在衬底基板上方的有源层，设置在所述有源层一侧的源极以及设置在所述有源层另一侧的漏极，设置在所述有源层上方或下方的栅极，以及设置在所述有源层与所述栅极之间的栅极绝缘层；

其中，所述源极与所述有源层之间还设置有连接所述源极与所述有源层的第一反型电极，所述漏极与所述有源层之间还设置有连接所述漏极与所述有源层的第二反型电极，所述第一反型电极与所述源极的导电类型相反，所述第二反型电极的导电类型与所述漏极的导电类型相反。

优选的，所述栅极在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影。

优选的，所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层、所述第一反型电极和所述第二反型电极在所述衬底基板上的正投影的组合重叠，所述栅极在衬底基板上的正投影与所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影重叠。

优选的，所述有源层为多晶硅薄膜，所述源极和所述漏极为掺杂P型杂质离子的多晶硅薄膜，所述第一反型电极和所述第二反型电极为掺杂N型杂质离子的多晶硅薄膜；或者，所述源极和所述漏极为掺杂N型杂质离子的多晶硅薄膜，所述第一反型电极和所述第二反型电极为掺杂P型杂质离子的多晶硅薄膜。

优选的，所述第一反型电极掺杂的杂质离子的浓度小于所述源极掺杂的杂质离子的浓度，所述第二反型电极掺杂的杂质离子的浓度小于所述漏极掺杂的杂质离子的浓度。

本申请实施例提供一种阵列基板，包括本申请实施例提供的所述的薄膜晶体管。

本申请实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底基板的上方形成有源层，以及在所述有源层的一侧形成与所述有源层相接触的第一反型电极，在所述有源层的另一侧边形成与所述有源层相接触的第二反型电极；

形成与所述第一反型电极相接触的源极，以及与所述第二反型电极相接触的漏极，所述源极与所述第一反型电极的导电类型相反，所述漏极与所述第二反型电极的导电类型相反；

其中，在形成所述第一反型电极和所述第二反型电极之前，所述制作方法还包括：在所述有源层之上形成栅极绝缘层，以及在所述栅极绝缘层之上形成栅极；或者，在形成所述有源层之前，所述制作方法还包括：在所述衬底基板之上形成栅极，以及在所述栅极之上形成栅极绝缘层。

优选的，所述在衬底基板的上方形成有源层，以及在所述有源层的一侧形成与所述有源层相接触的第一反型电极，在所述有源层的另一侧边形成与所述有源层相接触的第二反型电极；形成与所述第一反型电极相接触的源极，以及与所述第二反型电极相接触的漏极，具体包括：

在衬底基板的上方形成多晶硅薄膜层，将所述多晶硅薄膜层的第一区域的中部第一子区域作为所述有源层；