[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201710060053.6 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN108010552B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 仓盛文章 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4091 | 分类号: | G11C11/4091;G11C7/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,包括:
感测放大器,连接于位线,从存储器元件读出数据;
第一开关元件,连接于规定的第一电源电压与所述感测放大器的第一电源中间节点之间,在所述感测放大器驱动时导通;
第二开关元件,连接于规定的第二电源电压与所述感测放大器的第二电源中间节点之间,在所述感测放大器驱动时导通;以及
均衡器电路,基于均衡信号来使所述第一电源中间节点及第二电源中间节点均衡于均衡电压,所述均衡电压是所述第一电源中间节点的最大值与所述第二电源中间节点的最小值之间的半值电平,
所述半导体存储装置的特征在于包括:
控制电路,连接于所述位线,且基于测试信号将所述位线的电压控制在规定的电压值,其中从所述均衡信号产生后的预充电开始至所述感测放大器驱动时施加所述测试信号,并且在停止施加所述测试信号后再次产生所述均衡信号。
2.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述规定的电压值为接地电位,所述控制电路将所述位线的电压下拉至所述接地电位。
3.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述规定的电压值为规定的电源电压,所述控制电路将所述位线的电压上拉至所述规定的电源电压。
4.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述规定的电压值为接地电位与规定的电源电压,由所述控制电路进行控制,以将多条位线中属于第一群组的位线的电压下拉至所述接地电位,以及将所述多个位线中属于第二群组的位线的电压上拉至所述电源电压。
5.如权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述测试信号产生时,所述均衡器电路的动作中止。
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