[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其包括多个页面；

外围电路，其适于对包括在所述多个页面的选择的页面中的存储器单元执行编程操作，使得所述存储器单元具有多个编程状态；以及

控制逻辑，其适于控制所述外围电路以执行所述编程操作，

其中，在对所述多个编程状态中的具有低阈值电压分布的第一设置编程状态的编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以将第一可变通过电压施加至与所述选择的页面相邻的页面，其中所述第一可变通过电压不同于施加至剩余未选择的页面的通过电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一可变通过电压具有高于所述通过电压的电位电平。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在对所述多个编程状态中的具有高阈值电压分布的第二设置编程状态的编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以将第二可变通过电压施加至所述相邻的页面，其中所述第二可变通过电压不同于所述通过电压和所述第一可变通过电压。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述第二可变通过电压具有低于所述通过电压的电位电平。

5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，

其中，所述第一设置编程状态包括具有低阈值电压分布的一个或多个编程状态，以及

其中，所述第二设置编程状态包括具有高阈值电压分布的一个或多个编程状态。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述外围电路以从具有低阈值电压分布的编程状态到具有高阈值电压分布的编程状态的顺序方式对所述多个编程状态执行编程操作。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，当包括在所述选择的页面中的存储器单元的沟道宽度变窄时，所述控制逻辑调整所述第一可变通过电压和所述第二可变通过电压以变得接近于所述通过电压。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，当对所述选择的页面的编程操作完成时，所述控制逻辑选择新页面并且根据所述新页面被布置的位置将所述通过电压设置为新通过电压。

9.一种半导体存储器装置，其包括：

存储器单元阵列，其包括多个页面；

外围电路，其适于对包括在所述多个页面的选择的页面中的存储器单元执行编程操作，使得所述存储器单元具有多个编程状态；以及

控制逻辑，其适于控制所述外围电路以执行所述编程操作，

其中，在对所述多个编程状态中的具有低阈值电压分布的第一设置编程状态的编程操作期间或在对所述多个编程状态中的具有高阈值电压分布的第二设置编程状态的编程操作期间，所述控制逻辑控制所述外围电路以将不同于施加至剩余未选择的页面的通过电压的第一可变通过电压或第二可变通过电压施加至与所述选择的页面相邻的页面。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述第一可变通过电压具有高于所述通过电压的电位电平，并且所述第二可变通过电压具有低于所述通过电压的电位电平。

11.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，

其中，所述第一设置编程状态包括具有低阈值电压分布的一个或多个编程状态，以及

其中，所述第二设置编程状态包括具有阈值电压分布的一个或多个编程状态。

12.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，所述外围电路以从具有低阈值电压分布的编程状态到具有高阈值电压分布编程状态的顺序方式对所述多个编程状态执行编程操作。

13.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，当包括在所述选择的页面中的存储器单元的沟道宽度变窄时，所述控制逻辑调整所述第一可变通过电压和所述第二可变通过电压以变得接近于所述通过电压。

14.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中，当对所述选择的页面的编程操作完成时，所述控制逻辑选择新页面并且根据所述新页面被布置的位置将所述通过电压设置为新通过电压。