[发明专利]存储器件以及包括该存储器件的电子设备

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

提供在基板上的第一电极线层，所述第一电极线层包括在第一方向上延伸并且彼此间隔开的多条第一电极线；

提供在所述第一电极线层上的第二电极线层，所述第二电极线层包括在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且彼此间隔开的多条第二电极线；

提供在所述第二电极线层上的第三电极线层，所述第三电极线层包括在所述第一方向上延伸并且彼此间隔开的多条第三电极线；

提供在所述第一电极线层和所述第二电极线层之间的第一存储单元层，所述第一存储单元层包括布置在所述多条第一电极线与所述多条第二电极线的相应交叉处的多个第一存储单元；

提供在所述第二电极线层和所述第三电极线层之间的第二存储单元层，所述第二存储单元层包括布置在所述多条第二电极线与所述多条第三电极线的相应交叉处的多个第二存储单元；

第一间隔物，覆盖所述多个第一存储单元的每个的侧表面；以及

第二间隔物，覆盖所述多个第二存储单元的每个的侧表面，

其中所述多个第一存储单元和所述多个第二存储单元的每个包括在向上方向或向下方向上堆叠的选择器件、电极和可变电阻图案，并且

所述第一间隔物具有不同于所述第二间隔物的厚度的厚度。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物的每个的厚度是在垂直于所述可变电阻图案的侧表面的方向上测量的厚度，以及

所述第一间隔物或所述第二间隔物的厚度被调整以使得所述第一存储单元和所述第二存储单元具有基本上相同的电阻。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述电阻是所述第一存储单元和所述第二存储单元的设置电阻或复位电阻。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中被具有大厚度的所述第一间隔物或所述第二间隔物覆盖的所述第一存储单元或所述第二存储单元的设置电阻基本上与被具有小厚度的所述第二间隔物或所述第一间隔物覆盖的所述第二存储单元或所述第一存储单元的设置电阻相同。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一存储单元和所述第二存储单元的每个包括与所述可变电阻图案接触的加热电极。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一存储单元和所述第二存储单元的每个包括与所述选择器件接触的下电极，以及

所述选择器件和所述下电极的侧表面被内部间隔物覆盖。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物的至少一个覆盖所述内部间隔物。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物的至少一个具有多层结构。

9.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一间隔物和所述第二间隔物的其中之一包括在所述可变电阻图案上施加压应力的材料，以及

所述第一间隔物和所述第二间隔物的另一个包括在所述可变电阻图案上施加张应力的材料。

10.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第一电极线和所述第三电极线是字线或位线，所述第二电极线是位线或字线。

11.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：

提供在所述第三电极线层上的至少一个第一上电极线层，所述至少一个第一上电极线层的每个包括在所述第一方向上延伸并且彼此间隔开的多条第一上电极线；

提供在所述至少一个第一上电极线层的对应一个上的至少一个第二上电极线层，所述至少一个第二上电极线层的每个包括在所述第二方向上延伸并且彼此间隔开的多条第二上电极线；以及

提供在所述第一上电极线层和所述第二上电极线层之间的至少两个上存储单元层，所述至少两个上存储单元层的每个包括布置在所述第一上电极线层的所述多条第一上电极线与所述第二上电极线层的所述多条第二上电极线的相应交叉处的多个存储单元。