[发明专利]存储器件以及包括该存储器件的电子设备

说明书

本发明构思提供一种存储器件、包括该存储器件的电子设备以及制造该存储器件的方法，在该存储器件中，存储单元布置为具有小的电特性变化并从而提高可靠性。在存储器件中，在不同水平的存储单元可以用具有不同厚度的间隔物覆盖，这可以控制存储单元的电阻特性(例如设置电阻)并且减小存储单元的电特性的竖直变化。此外，通过调整间隔物的厚度，存储单元的感测裕度可以增加。

技术领域

本发明构思涉及存储器件以及制造该存储器件的方法，更具体地，涉及交叉点堆叠存储器件以及制造该交叉点堆叠存储器件的方法。

背景技术

为了满足对于小且轻的电子产品的日益增加的需求，通常需要高集成的半导体器件。为此，已经提出了在其中存储单元位于两个相交的电极的交点处的三维(3D)交叉点堆叠存储器件。所提出的存储器件可以为高密度数据存储提供最小的单元尺寸。然而，由于对于交叉点堆叠存储器件的按比例缩小的日益增加的需求，可能需要进一步减小存储器件中每个层的尺寸。在这种情形下，为了获得存储器件的期望可靠性，会需要控制存储单元的电特性的变化。

发明内容

本发明构思提供一种配置为减小存储单元的电特性的变化并从而提高可靠性的存储器件、包括该存储器件的电子设备以及制造该存储器件的方法。

根据本发明构思的一方面，提供一种存储器件，该存储器件包括：提供在基板上的第一电极线层，该第一电极线层包括在第一方向上延伸并且彼此间隔开的多条第一电极线；提供在第一电极线层上的第二电极线层，该第二电极线层包括在不同于第一方向的第二方向上延伸并且彼此间隔开的多条第二电极线；提供在第二电极线层上的第三电极线层，该第三电极线层包括在第一方向上延伸并且彼此间隔开的多条第三电极线；提供在第一和第二电极线层之间的第一存储单元层，该第一存储单元层包括布置在所述多条第一电极线和所述多条第二电极线的相应交叉处的多个第一存储单元；提供在第二和第三电极线层之间的第二存储单元层，该第二存储单元层包括布置在所述多条第二电极线与所述多条第三电极线的相应交叉处的多个第二存储单元；第一间隔物，覆盖所述多个第一存储单元的每个的侧表面；以及第二间隔物，覆盖所述多个第二存储单元的每个的侧表面。所述多个第一和第二存储单元的每个可以包括在向上方向或向下方向上堆叠的选择器件、电极和可变电阻图案，并且第一间隔物可以具有不同于第二间隔物的厚度的厚度。

根据本发明构思的另一方面，提供一种存储器件，该存储器件包括：提供在基板上的第一电极线层，该第一电极线层包括在第一方向上延伸并且彼此间隔开的多条第一电极线；提供在第一电极线层上的第二电极线层，该第二电极线层包括在不同于第一方向的第二方向上延伸并且彼此间隔开的多条第二电极线；提供在第二电极线层上的第三电极线层，该第三电极线层包括在第一方向上延伸并且彼此间隔开的多条第三电极线；提供在第一和第二电极线层之间的第一存储单元层，该第一存储单元层包括布置在所述多条第一电极线与所述多条第二电极线的相应交叉处的多个第一存储单元；提供在第二和第三电极线层之间的第二存储单元层，该第二存储单元层包括布置在所述多条第二电极线与所述多条第三电极线的相应交叉处的多个第二存储单元；第一间隔物，覆盖所述多个第一存储单元的每个的侧表面；以及第二间隔物，覆盖所述多个第二存储单元的每个的侧表面。所述多个第一和第二存储单元的每个可以包括在向上方向或向下方向上堆叠的选择器件、电极和可变电阻图案，第一间隔物和第二间隔物的至少之一可以包括在可变电阻图案上施加压应力或张应力的材料。