[发明专利]用于选择性地执行隔离功能的半导体器件及其布局替代方法

说明书

一种半导体器件包括有源区域，所述有源区域在第一方向上延伸；第一晶体管，所述第一晶体管包括布置在所述有源区域上的第一栅电极和第一源极和漏极区域，所述第一源极和漏极区域布置在所述第一栅电极的相对侧处；第二晶体管，所述第二晶体管包括布置在所述有源区域上的第二栅电极和第二源极和漏极区域，所述第二源极和漏极区域布置在所述第二栅电极的相对侧处；以及第三晶体管，所述第三晶体管包括布置在所述有源区域上的第三栅电极和第三源极和漏极区域，所述第三源极和漏极区域布置在所述第三栅电极的相对侧处，并且所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述第二晶体管被配置成基于所述半导体器件的操作模式而接通和断开。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年1月29日提交到美国专利和商标局的第62/288,750号美国临时专利申请以及于2016年5月13日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0058860号韩国专利申请的优先权，通过引用，将其公开的全部内容合并于此。

背景技术

1.技术领域

与示例性实施例一致的装置涉及一种半导体器件，并且更具体地涉及选择性地作为绝缘电路或驱动电路而进行操作的半导体器件的布局。

2.相关技术说明

半导体器件的大小随着半导体器件高度集成以及其存储容量增大而逐渐缩小。相应地，半导体制造工艺的分辨度日益增加。然而，半导体制作工艺的增加的分辨度引起半导体器件的栅电极之间的距离减小。在这种情况下，非预期短路或产品缺陷也增加。为此，电绝缘问题也开始显露。

通常，通过如浅沟槽隔离(STI)工艺等单独工艺生产的绝缘膜可以用于半导体器件绝缘。可替代地，增大栅电极之间的距离或插入伪栅极的方法可以用于半导体器件的绝缘。然而，因为半导体器件的芯片大小增大并且执行附加/额外工艺，所以这种方法的效率很低。

发明内容

根据示例性实施例，一种片上系统包括：第一半导体器件，所述第一半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管分别包括第一栅电极和第二栅电极，所述第一半导体器件布置在有源区域上，所述有源区域布置在基底上，所述有源区域在第一方向上延伸，并且所述第一栅电极和所述第二栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且沿着所述第一方向布置。所述片上系统进一步包括第二半导体器件，所述第二半导体器件包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管分别包括第三栅电极和第四栅电极，所述第二半导体器件布置在所述有源区域上，并且所述第三栅电极和所述第四栅电极在所述第二方向上延伸并且沿着所述第一方向布置。所述第二晶体管被配置成响应于接通所述第一晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管而断开，以便使所述第一晶体管与邻近所述第一晶体管的器件电绝缘。

根据示例性实施例，一种半导体器件包括：有源区域，所述有源区域布置在基底上并且在第一方向上延伸；以及第一晶体管，所述第一晶体管包括布置在所述有源区域上的第一栅电极和第一源极和漏极区域，所述第一源极和漏极区域布置在所述第一栅电极的相对侧处。所述半导体器件进一步包括第二晶体管，所述第二晶体管包括布置在所述有源区域上的第二栅电极和第二源极和漏极区域，所述第二源极和漏极区域布置在所述第二栅电极的相对侧处；以及第三晶体管，所述第三晶体管包括布置在所述有源区域上的第三栅电极和第三源极和漏极区域，所述第三源极和漏极区域布置在所述第三栅电极的相对侧处，并且所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第三栅电极在不同于所述第一方向的第二方向上延伸并且沿着所述第一方向布置。所述第二晶体管被配置成基于所述半导体器件的操作模式而接通和断开。