[发明专利]悬臂装置、检查装置、分析表面的方法和微图案形成方法

说明书

本发明提供了形成微图案的方法、基板表面检查装置、用于原子力显微镜的悬臂装置、分析半导体基板的表面的方法、以及探针尖端。该形成微图案的方法包括在半导体基板上形成钉扎图案；在钉扎图案之间的间隔中形成中性图案层；以及通过使用原子力显微镜(AFM)检查引导层的表面，该引导层包括钉扎图案和中性图案层。

技术领域

实施方式涉及用于原子力显微镜的悬臂装置、包括其的基板表面检查装置、通过使用其分析半导体基板表面的方法、以及通过使用其形成微图案的方法。

背景技术

随着半导体器件的集成度增大，在平面图中由每个单位单元占据的面积会减小。响应于单位单元的面积的这种减小，可以应用从几纳米到几十纳米范围的更小的纳米级临界尺寸(CD)的设计规则。

发明内容

实施方式可以通过提供形成微图案的方法来实现，该方法包括在半导体基板上形成钉扎图案；在钉扎图案之间的间隔中形成中性图案层；和通过使用原子力显微镜(AFM)检查引导层的表面，该引导层包括钉扎图案和中性图案层。

实施方式可以通过提供基板表面检查装置来实现，该基板表面检查装置包括：能够容纳基板的支撑物；具有悬臂和探针尖端的测量单元，探针尖端在悬臂端部并且能够接触基板；驱动单元，能够改变基板和探针尖端的相对位置；光源单元，能够辐照光到悬臂上；传感器，能够由被悬臂反射的光获得基板表面的信息；和确定单元，由被传感器感测的基板表面的信息确定基板的表面是否正常，其中探针尖端包括具有用聚合物改性的表面的探针尖端基底。

实施方式可以通过提供用于原子力显微镜(AFM)的悬臂装置来实现，该悬臂装置包括：支承构架；固定到支承构架的悬臂；和提供在悬臂的端部的探针尖端，其中探针尖端具有探针尖端基底，探针尖端基底具有至少部分地用聚合物改性的表面。

实施方式可以通过提供分析半导体基板的表面的方法来实现，该方法包括：提供在半导体基板上具有钉扎图案和中性图案层的半导体基板；通过使用探针尖端扫描钉扎图案或中性图案层，该探针尖端具有探针尖端基底，探针尖端基底具有用聚合物改性的表面；和测量在探针尖端与被扫描的钉扎图案或被扫描的中性图案层之间的粘附功。

实施方式可以通过提供用于原子力显微镜(AFM)的探针尖端来实现，该探针尖端包括探针尖端基底；和在探针尖端基底的表面的至少一部分上的聚合物。

附图说明

通过参考附图详细描述示范性实施方式，多个特征对本领域技术人员而言将明显，其中：

图1示出根据实施方式的基板表面检查装置的概念图；

图2示出图1的区域II的局部放大图；

图3A至3D示出透视图，显示根据实施方式的探针尖端和悬臂的示例的主要部分；

图4示出概念图，显示根据实施方式的悬臂的端部和探针尖端的表面；

图5至8B示出概念侧视截面图，显示根据制造方法的探针尖端的表面的构造；

图9示出检查半导体基板的表面的方法的根据该方法的工艺次序的流程图；

图10示出在检查半导体基板的表面的方法中一阶段的侧视截面图；

图11A至17B示出曲线图，显示在根据实施方式的形成微图案的方法中根据工艺次序的多个阶段，图11A、12A、......和17A示出平面图，显示用于解释形成微图案的方法的主要部分，图11B、12B、......和17B分别示出沿图11A、12A、......和17A的线B-B’截取的截面图；

图18A和18B示出在根据另一实施方式的形成微图案的方法中的多个阶段，图18A示出平面图，显示用于解释形成微图案的方法的主要部分，图18B示出沿图18A的线B-B’截取的截面图；