[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一鳍状场效晶体管，包括：一第一鳍结构、一第一栅极电极结构位于部分的该第一鳍结构之上、及一第一源极/漏极区域，该第一鳍结构往一第一方向延伸，且该第一栅极电极结构往与该第一方向交叉的一第二方向延伸；及

一第二鳍状场效晶体管，包括：一第二鳍结构、一第二栅极电极结构位于部分的该第二鳍结构之上、及一第二源极/漏极区域，该第二鳍结构往该第一方向延伸，且该第二栅极电极结构往该第二方向延伸，其中：

一合并的磊晶层，形成于该第一鳍结构之上的该第一源极/漏极区域中，

一第二磊晶层，形成于该第二鳍结构之上的该第二源极/漏极区域中，及

该第一鳍结构于该第二方向的宽度小于该第二鳍结构于该第二方向的宽度，其中该第一鳍状场效晶体管还包括一第三鳍结构往该第一方向延伸，并于该第二方向相邻于该第一鳍结构，该第一栅极电极结构位于部分的该第三鳍结构之上，及

该合并的磊晶层形成于该第三鳍结构之上，其宽度小于该第二鳍结构的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中：

该合并的磊晶层与该第一鳍结构由不同材料制成，且该第二磊晶层材料与该第二鳍结构由不同材料制成，及

介于该合并的磊晶层及至少一个该第一鳍结构之间的一第一界面比介于该第二磊晶层及至少一个该第二鳍结构之间的一第二界面更靠近一基板。

3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一隔离绝缘层，且该第一及第二鳍结构的底部嵌入该隔离绝缘层中，

其中该第一界面位于该隔离绝缘层的一上表面以下。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第二界面位于该隔离绝缘层的该上表面以上。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一鳍结构及该第二鳍结构于该第二方向上彼此相邻。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第一栅极结构及该第二栅极结构相连以组成一栅极结构。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第三鳍结构于该第二方向的宽度与该第一鳍结构于该第二方向的宽度相同。

8.一种半导体元件，包括一第一静态随机存取存储器单元，其中该第一静态随机存取存储器单元包括：

一第一鳍状场效晶体管，由一第一鳍结构及一第二鳍结构，及一第一栅极电极所形成，该第一栅极电极位于部分的该第一鳍结构及部分的该第二鳍结构上；

一第二鳍状场效晶体管，由该第一鳍结构及该第二鳍结构，及一第二栅极电极所形成，该第二栅极电极位于部分的该第一鳍结构及部分的该第二鳍结构上；

一第三鳍状场效晶体管，由一第三鳍结构及该第二栅极电极所形成，该第二栅极结构位于部分的该第三鳍结构上；

一第四鳍状场效晶体管，由一第四鳍结构及一第五鳍结构，及一第三栅极电极所形成，该第三栅极电极位于部分的该第四鳍结构及部分的该第五鳍结构上；

一第五鳍状场效晶体管，由该第四鳍结构及该第五鳍结构，及一第四栅极电极所形成，该第四栅极电极位于部分的该第四鳍结构及部分的该第五鳍结构上；及

一第六鳍状场效晶体管，由一第六鳍结构及该第四栅极电极所形成，该第四栅极电极位于部分的该第六鳍结构上，其中：

该第一、第二、第三、第六、第五、及第四鳍结构往一第一方向延伸，并以此顺序在一第二方向上排列，该第二方向与该第一方向交叉，

该第一至第四栅极电极往该第二方向延伸，

该第一、第二、第五、及第四鳍结构的宽度小于该第三及第六鳍结构的宽度，其中：

该第一鳍状场效晶体管还包括一第一源极/漏极区域，

该第一源极/漏极区域包括一合并的第一磊晶层形成于该第一鳍结构及该第二鳍结构之上。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括：

一合并的第二磊晶层，连接并形成于该第四鳍结构及该第五鳍结构之上。