[发明专利]半导体元件及其制造方法

说明书

本发明实施例提供一种制造半导体元件的方法，形成第一鳍状场效晶体管包括第一鳍结构，第一栅极电极结构位于第一鳍结构上，及第一源极/漏极区域。形成第二鳍状场效晶体管包括第二鳍结构，第二栅极电极结构位于第二鳍结构上，及第二源极/漏极区域。第一磊晶层形成于第一鳍结构之上的第一源极/漏极区域之中，第二磊晶层形成于第二鳍结构之上的第二源极/漏极区域之中。第一鳍结构的宽度小于第二鳍结构的宽度。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体集成电路，且特别有关于一种包括鳍状场效晶体管的静态随机存取存储器及其制造方法。

背景技术

当半导体工业进展至纳米科技制程节点以追求更高的元件密度、更高的效能、以及更低的成本，由于制造及设计问题两边的挑战，而引导至三维设计的发展，例如鳍状场效晶体管(fin field effect transistor,FinFET)及具高介电常数(high-k)材料的金属栅极结构的使用。金属栅极结构经常使用替代栅极(gate replacement)技术，而源极及漏极则以磊晶成长方式形成。此外，源极/漏极接点(条状接点)形成于源极及漏极之上。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体元件，包括：第一鳍状场效晶体管及第二鳍状场效晶体管。第一鳍状场效晶体管包括第一鳍结构，第一栅极电极结构位于部分的第一鳍结构之上，及第一源极/漏极区域。第一鳍结构往第一方向延伸，第一栅极电极结构往与该第一方向交叉的一第二方向延伸。第二鳍状场效晶体管包括第二鳍结构，第二栅极电极结构位于部分的第二鳍结构之上，及第二源极/漏极区域。第二鳍结构往第一方向延伸，第二栅极电极结构往第二方向延伸。第一磊晶层形成于第一鳍结构之上的第一源极/漏极区域中。第二磊晶层形成于第二鳍结构之上的第二源极/漏极区域中。第一鳍结构于该第二方向的宽度小于第二鳍结构于该第二方向的宽度。

本发明实施例亦提供一种半导体元件，包括：第一静态随机存取存储器单元。第一静态随机存取存储器单元包括第一至第六鳍状场效晶体管。第一鳍状场效晶体管，由第一鳍结构及第二鳍结构，及第一栅极电极所形成，第一栅极电极位于部分的第一鳍结构及部分的第二鳍结构上。第二鳍状场效晶体管，由第一鳍结构及第二鳍结构，及第二栅极电极所形成，第二栅极电极位于部分的第一鳍结构及部分的第二鳍结构上。第三鳍状场效晶体管，由第三鳍结构及第二栅极电极所形成，第二栅极电极位于部分的第三鳍结构上。第四鳍状场效晶体管，由第四鳍结构及第五鳍结构，及第三栅极电极所形成，第三栅极电极位于部分的第四鳍结构及部分的第五鳍结构上。第五鳍状场效晶体管，由第四鳍结构及第五鳍结构，及第四栅极电极所形成，第四栅极电极位于部分的第四鳍结构及部分的第五鳍结构上。第六鳍状场效晶体管，由第六鳍结构及第四栅极电极所形成，第四栅极电极位于部分的第六鳍结构之上形成。第一、第二、第三、第六、第五、及第四鳍结构结构往第一方向延伸，并以此顺序在第二方向上排列，第二方向与第一方向交叉。第一至第四栅极电极往该第二方向延伸。第一、第二、第五、及第四鳍结构的宽度小于该第三及第六鳍结构的宽度。

本发明实施例另提供一种制造半导体元件的方法，包括：在一基板上形成往第一方向延伸的第一鳍结构、第二鳍结构、及第三鳍结构。形成栅极结构于第一至第三鳍结构之上，该栅极结构往与第一方向交叉的一第二方向延伸。第一鳍结构及第二鳍结构彼此相邻。第一及第二鳍结构在第二方向的宽度小于第三鳍结构在第二方向的宽度。

附图说明

以下将配合附图详述本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1A及图1B是根据本发明的一实施例绘示出静态随机存取存储器单元的示例性布局(布局)结构。

图2至图13是根据本发明的一实施例绘示出包括鳍状场效晶体管的第一静态随机存取存储器单元制造过程中各阶段的示例性剖面图。

图14是根据一本发明实施例绘示出第二静态随机存取存储器单元的示例性剖面图。