[发明专利]双扩散金属氧化物半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种双扩散金属氧化物半导体DMOS元件，其特征在于，包含：

一基板，具有第一导电型，且该基板于一垂直方向上，具有相对的一上表面与一下表面；

一外延层，形成于该基板上，具有相对该上表面的一外延层表面，且于该垂直方向上，堆叠并连接于该上表面上；

一高压阱，形成于该外延层中，具有第二导电型，且于该垂直方向上，堆叠并连接于该基板的该上表面上，其中，该高压阱与该基板的该上表面之间具有一第一PN接面；

一本体区，形成于该外延层中，具有第一导电型，且于该垂直方向上，堆叠并连接于该外延层表面下，且由剖视图视之，于一通道方向上，该本体区与该高压阱间具有一通道方向接面；

一栅极，形成于该外延层上，于该垂直方向上，该栅极堆叠并连接于该外延层表面上，且由剖视图视之，该栅极覆盖至少部分的该通道方向接面；

一源极，形成于该外延层中，具有第二导电型，且于该垂直方向上，堆叠并连接于该外延层表面之下，且由剖视图视之，该源极位于该本体区中；

一漏极，形成于该外延层中，具有第二导电型，且于该垂直方向上，堆叠并连接于该外延层表面下，且于该通道方向上，该源极与该漏极位于该通道方向接面不同侧，且由剖视图视之，该漏极与该栅极由该高压阱隔开；

一漂移埋区，形成于该外延层中，具有第二导电型，其中，由剖视图视之，于该通道方向上，部分该漂移埋区位于该漏极的正下方，且，该漂移埋区的长度大于或等于该漏极的长度；以及

一埋区，形成于该基板与该外延层中，具有第一导电型，且于该垂直方向上，部分该埋区位于该基板中，且另一部分该埋区位于该外延层中，其中，由剖视图视之，于该通道方向上，至少部分该埋区位于该漂移埋区的正下方，且，该埋区的长度大于或等于该漏极的长度，其中，该埋区的长度大于或等于该漂移埋区的长度；

其中，由剖视图视之，于该通道方向上，该漂移埋区与该埋区之间或该高压阱与该埋区之间具有一第二PN接面，且，由剖视图视之，该第二PN接面自该外延层表面开始沿着该垂直方向而向下计算所具有的深度，浅于该第一PN接面自该外延层表面开始沿着该垂直方向而向下计算所具有的深度；

其中，该漂移埋区于该通道方向上具有靠近该栅极的一第一边界及远离该栅极的一第二边界，该埋区于该通道方向上具有靠近该栅极的一第三边界及远离该栅极的一第四边界；

其中，该第一边界及该第三边界，于该通道方向上，介于该漏极与该通道方向接面之间；该第二边界及该第四边界，于该通道方向上，至少超过一第五边界，其中该第五边界位于该漏极与靠近该漏极的一绝缘结构之间，其中该绝缘结构用以定义该双扩散金属氧化物半导体元件的一元件区。

2.如权利要求1所述的双扩散金属氧化物半导体元件，其中，该漂移埋区中的第二导电型杂质浓度大于该高压阱中的第二导电型杂质浓度，且，该埋区中的第一导电型杂质浓度大于该基板中的第一导电型杂质浓度。

3.如权利要求1所述的双扩散金属氧化物半导体元件，还包含一场氧化区，形成于该外延层上的一操作区中，且于该垂直方向上，该场氧化区堆叠并连接于该高压阱，且于该通道方向上，该场氧化区介于该通道方向接面与该漏极之间。

4.如权利要求3所述的双扩散金属氧化物半导体元件，该第一边界及该第三边界，于该通道方向上，位于该场氧化区的正下方的区域间。

5.如权利要求1所述的双扩散金属氧化物半导体元件，还包含一接点区，形成于该外延层中，具有第一导电型，且于该垂直方向上，堆叠并连接于该外延层表面之下，且由剖视图视之，该接点区位于该本体区中。