[发明专利]宏观划痕长度测量装置有效
申请号: | 201710062812.2 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN108346595B | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 王燕;刘源 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 宏观 划痕 长度 测量 装置 | ||
1.一种宏观划痕长度测量装置,包括:旋转夹具及光源,所述旋转夹具适于夹持待测晶圆,所述旋转夹具的下表面与一第一驱动装置相连接,适于在所述第一驱动装置的驱动下旋转,所述光源位于所述旋转夹具上表面的一侧,适于提供强光;其特征在于,所述旋转夹具的顶部沿其周向设有滑槽;所述宏观划痕长度测量装置还包括:
标尺,所述标尺的上表面沿其长度方向设有刻度,所述标尺的一端经由一固定装置固定于所述滑槽处;所述固定装置一端置于所述滑槽内,且可带动所述标尺以所述固定装置的轴向中心线为中心在平行于所述旋转夹具上表面的平面内旋转及带动所述标尺沿所述滑槽的长度方向滑动。
2.根据权利要求1所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述标尺的数量为一个,所述标尺的长度大于或等于所述待测晶圆的直径。
3.根据权利要求1所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述标尺的数量为两个,两个所述标尺的长度之和大于所述待测晶圆的直径。
4.根据权利要求1所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述标尺的端面形状为圆形。
5.根据权利要求1所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述标尺可在平行于所述旋转夹具上表面的平面内360°旋转。
6.根据权利要求1所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述标尺的上表面设有两排平行对应的刻度,其中一排刻度位于所述标尺上表面的一侧,另一排刻度位于所述标尺上表面的另一侧。
7.根据权利要求1所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述刻度的最小单位为毫米。
8.根据权利要求1所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述标尺的材料为耐高温透明材料。
9.根据权利要求8所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述标尺的材料为石英。
10.根据权利要求1所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述固定装置为螺钉。
11.根据权利要求1所述的宏观划痕长度测量装置,其特征在于:所述宏观划痕长度测量装置还包括第二驱动装置,所述第二驱动装置与所述固定装置相连接,适于驱动所述固定装置带动所述标尺以所述固定装置的轴向中心线为中心在平行于所述旋转夹具上表面的平面内旋转及带动所述标尺沿所述滑槽的长度方向滑动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造